Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

SMMBT6521LT1G

SMMBT6521LT1G

частка акцыі: 113081

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

NSVBC857BLT3G

NSVBC857BLT3G

частка акцыі: 193265

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

NJVMJD210T4G

NJVMJD210T4G

частка акцыі: 138380

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

NSVMMBT6520LT1G

NSVMMBT6520LT1G

частка акцыі: 120062

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 350V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

NSS35200CF8T1G

NSS35200CF8T1G

частка акцыі: 184207

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V,

PZTA64

PZTA64

частка акцыі: 167667

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

SBCP68T1G

SBCP68T1G

частка акцыі: 185720

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

NSV1C301ET4G-VF01

NSV1C301ET4G-VF01

частка акцыі: 171019

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

NJVMJB45H11T4G

NJVMJB45H11T4G

частка акцыі: 78939

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

NST846BF3T5G

NST846BF3T5G

частка акцыі: 138127

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 65V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

KSP05TA

KSP05TA

частка акцыі: 122978

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

KSA1281YTA

KSA1281YTA

частка акцыі: 152676

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

NSV60601MZ4T1G

NSV60601MZ4T1G

частка акцыі: 163510

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

MCH3245-TL-E

MCH3245-TL-E

частка акцыі: 138360

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

NJVMJD32CG

NJVMJD32CG

частка акцыі: 100994

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

NJVMJD31CRLG

NJVMJD31CRLG

частка акцыі: 134493

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

MMJT350T1G

MMJT350T1G

частка акцыі: 178452

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

TIP42AG

TIP42AG

частка акцыі: 107722

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 700µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

TIP3055G

TIP3055G

частка акцыі: 43342

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 700µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

FJD5553TM

FJD5553TM

частка акцыі: 125206

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 400mA, 3V,

CPH3121-TL-E

CPH3121-TL-E

частка акцыі: 153522

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 165mV @ 30mA, 1.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

KSH47TF

KSH47TF

частка акцыі: 111443

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 200µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

MJE15028G

MJE15028G

частка акцыі: 68517

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V,

NSV40501UW3T2G

NSV40501UW3T2G

частка акцыі: 198771

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

KSC1008GTA

KSC1008GTA

частка акцыі: 166070

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

NJVMJD32T4G

NJVMJD32T4G

частка акцыі: 152387

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

SS8550CTA

SS8550CTA

частка акцыі: 196989

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

KSA733CYTA

KSA733CYTA

частка акцыі: 157709

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

KSA1381ESTU

KSA1381ESTU

частка акцыі: 133191

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

NSVBC847BTT1G

NSVBC847BTT1G

частка акцыі: 133882

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

NSS60601MZ4T3G

NSS60601MZ4T3G

частка акцыі: 171535

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

SBC807-25LT3G

SBC807-25LT3G

частка акцыі: 128578

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

SMMBTA56LT3G

SMMBTA56LT3G

частка акцыі: 123248

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

PZTA29

PZTA29

частка акцыі: 124083

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

KSH31CTF

KSH31CTF

частка акцыі: 121906

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

NSV40201LT1G

NSV40201LT1G

частка акцыі: 132151

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,