Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя
BDX53BTU
ON Semiconductor

BDX53BTU

частка акцыі: 6639

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Ліст з жаданняў
BDX53ATU
ON Semiconductor

BDX53ATU

частка акцыі: 5655

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Ліст з жаданняў
BDX34A
ON Semiconductor

BDX34A

частка акцыі: 5708

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V,

Ліст з жаданняў
BDX34BTU
ON Semiconductor

BDX34BTU

частка акцыі: 5660

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Ліст з жаданняў
BDW23TU
ON Semiconductor

BDW23TU

частка акцыі: 5700

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Ліст з жаданняў
BDX33CTU
ON Semiconductor

BDX33CTU

частка акцыі: 5711

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Ліст з жаданняў
BD535J
ON Semiconductor

BD535J

частка акцыі: 6621

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V,

Ліст з жаданняў
BD442S
ON Semiconductor

BD442S

частка акцыі: 5707

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Ліст з жаданняў
BD441STU
ON Semiconductor

BD441STU

частка акцыі: 5696

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Ліст з жаданняў
BD434STU
ON Semiconductor

BD434STU

частка акцыі: 5649

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 22V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў
BD244C
ON Semiconductor

BD244C

частка акцыі: 160819

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 700µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
BD243B
ON Semiconductor

BD243B

частка акцыі: 120086

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 700µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
BD243BTU
ON Semiconductor

BD243BTU

частка акцыі: 186581

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 700µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Ліст з жаданняў
BD241BTU
ON Semiconductor

BD241BTU

частка акцыі: 5647

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 300µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Ліст з жаданняў
BD241ATU
ON Semiconductor

BD241ATU

частка акцыі: 6570

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 300µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Ліст з жаданняў
BD240TU
ON Semiconductor

BD240TU

частка акцыі: 5632

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 300µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Ліст з жаданняў
BD240CTU
ON Semiconductor

BD240CTU

частка акцыі: 120119

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 300µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Ліст з жаданняў
BD240BTU
ON Semiconductor

BD240BTU

частка акцыі: 5663

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 300µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Ліст з жаданняў
BD239BTU
ON Semiconductor

BD239BTU

частка акцыі: 151933

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 300µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Ліст з жаданняў
BD235STU
ON Semiconductor

BD235STU

частка акцыі: 5627

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
BD238S
ON Semiconductor

BD238S

частка акцыі: 5680

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў
BD17610STU
ON Semiconductor

BD17610STU

частка акцыі: 117754

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў
BD157STU
ON Semiconductor

BD157STU

частка акцыі: 5702

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў
BD1396S
ON Semiconductor

BD1396S

частка акцыі: 5705

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў
BD13816S
ON Semiconductor

BD13816S

частка акцыі: 5717

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў
BD1356STU
ON Semiconductor

BD1356STU

частка акцыі: 136348

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў
BD13510S
ON Semiconductor

BD13510S

частка акцыі: 5673

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Ліст з жаданняў
BCW61DMTF
ON Semiconductor

BCW61DMTF

частка акцыі: 5638

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 32V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
BCW61CMTF
ON Semiconductor

BCW61CMTF

частка акцыі: 5690

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 32V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
BC860AMTF
ON Semiconductor

BC860AMTF

частка акцыі: 5625

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
BC859CMTF
ON Semiconductor

BC859CMTF

частка акцыі: 5719

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
BC859AMTF
ON Semiconductor

BC859AMTF

частка акцыі: 5629

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
BC856AMTF
ON Semiconductor

BC856AMTF

частка акцыі: 5639

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 65V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
BC850BMTF
ON Semiconductor

BC850BMTF

частка акцыі: 6658

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
BC849CMTF
ON Semiconductor

BC849CMTF

частка акцыі: 5701

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
BC849AMTF
ON Semiconductor

BC849AMTF

частка акцыі: 5645

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў