Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

BD159G

частка акцыі: 148232

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 350V, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

BDW93CPWD

частка акцыі: 7063

BD179G

частка акцыі: 122072

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

BUX85G

частка акцыі: 93907

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 200µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V,

BD677AG

частка акцыі: 114483

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

BD436STU

частка акцыі: 160830

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 32V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

BDW42G

частка акцыі: 77966

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

BDW94C

частка акцыі: 75511

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

BD676G

частка акцыі: 112750

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

BDX34BG

частка акцыі: 82314

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

BD678AS

частка акцыі: 107749

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

BD14010STU

частка акцыі: 149479

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

BD434S

частка акцыі: 110961

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 22V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

BD13610STU

частка акцыі: 190487

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

BD677AS

частка акцыі: 160716

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

BD13510STU

частка акцыі: 149457

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

BD159STU

частка акцыі: 153901

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 350V, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

BD442STU

частка акцыі: 172641

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

BD13910STU

частка акцыі: 155418

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

BD17510STU

частка акцыі: 188972

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

BD13810STU

частка акцыі: 157833

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

BD438TG

частка акцыі: 6829

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

BC337-25RLRAG

частка акцыі: 6827

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

BD682S

частка акцыі: 198952

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

BCX70G

частка акцыі: 194693

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

BC859BMTF

частка акцыі: 173921

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC858BMTF

частка акцыі: 146026

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC81816MTF

частка акцыі: 135827

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 110 @ 100mA, 1V,

BC81825MTF

частка акцыі: 156194

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

BC63916-D27Z

частка акцыі: 8693

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

BC557BTF

частка акцыі: 192372

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC547BTF

частка акцыі: 152974

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC32740TA

частка акцыі: 160182

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

BC33725TFR

частка акцыі: 139691

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

BC546BTF

частка акцыі: 145340

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 65V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC80840MTF

частка акцыі: 119099

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,