Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

2N6338G

2N6338G

частка акцыі: 8387

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V,

2SA1552T-H

2SA1552T-H

частка акцыі: 157598

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 160V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

2N5195G

2N5195G

частка акцыі: 109314

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N6052G

2N6052G

частка акцыі: 16858

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V,

2SA1962OTU

2SA1962OTU

частка акцыі: 24260

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 17A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 5µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

2N6286G

2N6286G

частка акцыі: 15034

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V,

2N5884G

2N5884G

частка акцыі: 17229

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

2N6035G

2N6035G

частка акцыі: 97674

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

2SD1060S-1E

2SD1060S-1E

частка акцыі: 88543

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V,

2SA2039-E

2SA2039-E

частка акцыі: 107696

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2N3442G

2N3442G

частка акцыі: 12017

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 200mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V,

2N5686G

2N5686G

частка акцыі: 5402

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V,

2N3773G

2N3773G

частка акцыі: 18794

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 10mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V,

2SD1802S-E

2SD1802S-E

частка акцыі: 114463

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

2SC6082-EPN-1E

2SC6082-EPN-1E

частка акцыі: 77167

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V,

2SA2210-EPN-1E

2SA2210-EPN-1E

частка акцыі: 77167

2N6488G

2N6488G

частка акцыі: 80533

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V,

2N5302G

2N5302G

частка акцыі: 16827

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Ток - адсек калектара (макс.): 5mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V,

2SA1943RTU

2SA1943RTU

частка акцыі: 19703

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 17A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 5µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

2SD1060R-1E

2SD1060R-1E

частка акцыі: 88452

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

2N4919G

2N4919G

частка акцыі: 122050

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V,

2SA1962RTU

2SA1962RTU

частка акцыі: 38766

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 17A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 5µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

2SB1204T-E

2SB1204T-E

частка акцыі: 132183

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2N5885G

2N5885G

частка акцыі: 18815

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

2N6284G

2N6284G

частка акцыі: 15633

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V,

2N6287G

2N6287G

частка акцыі: 16866

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V,

2N4918G

2N4918G

частка акцыі: 122074

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V,

2N6490G

2N6490G

частка акцыі: 72531

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V,

2SA2210-1E

2SA2210-1E

частка акцыі: 84455

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 350mA, 7A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V,

2N6387G

2N6387G

частка акцыі: 81368

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V,

2N3055AG

2N3055AG

частка акцыі: 12095

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A, Ток - адсек калектара (макс.): 700µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V,

2N3771G

2N3771G

частка акцыі: 18795

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A, Ток - адсек калектара (макс.): 10mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V,

2N6045G

2N6045G

частка акцыі: 95184

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 20µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

2N6111G

2N6111G

частка акцыі: 83279

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V,

2N6036G

2N6036G

частка акцыі: 112697

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

2SB1201T-TL-E

2SB1201T-TL-E

частка акцыі: 134783

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,