Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
MBRS1100T3G
ON Semiconductor

MBRS1100T3G

частка акцыі: 131031

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NSR1020MW2T1G
ON Semiconductor

NSR1020MW2T1G

частка акцыі: 171022

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRS240LT3G
ON Semiconductor

MBRS240LT3G

частка акцыі: 144321

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 430mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S1JFP
ON Semiconductor

S1JFP

частка акцыі: 137634

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5µs,

Ліст з жаданняў
MBRS360T3G
ON Semiconductor

MBRS360T3G

частка акцыі: 108505

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRS3200T3G
ON Semiconductor

MBRS3200T3G

частка акцыі: 161075

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR130LSFT1G
ON Semiconductor

MBR130LSFT1G

частка акцыі: 165453

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 380mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
RB751V40T1G
ON Semiconductor

RB751V40T1G

частка акцыі: 188369

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 1mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
FDLL914
ON Semiconductor

FDLL914

частка акцыі: 108701

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў
MBR0520L
ON Semiconductor

MBR0520L

частка акцыі: 112704

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 385mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBAS21LT1G
ON Semiconductor

SBAS21LT1G

частка акцыі: 181831

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
GF1G
ON Semiconductor

GF1G

частка акцыі: 172834

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Ліст з жаданняў
MBR130T1G
ON Semiconductor

MBR130T1G

частка акцыі: 184771

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 700mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NSR0320MW2T1G
ON Semiconductor

NSR0320MW2T1G

частка акцыі: 150747

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 900mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRM140T3G
ON Semiconductor

MBRM140T3G

частка акцыі: 119593

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MRA4007T3G
ON Semiconductor

MRA4007T3G

частка акцыі: 122009

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FFPF10UP60STU
ON Semiconductor

FFPF10UP60STU

частка акцыі: 49873

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 58ns,

Ліст з жаданняў
SS13HE
ON Semiconductor

SS13HE

частка акцыі: 158678

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 5.6ns,

Ліст з жаданняў
NSR20F40NXT5G
ON Semiconductor

NSR20F40NXT5G

частка акцыі: 106134

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S2G
ON Semiconductor

S2G

частка акцыі: 113037

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Ліст з жаданняў
MBRS2040LT3G
ON Semiconductor

MBRS2040LT3G

частка акцыі: 119544

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 430mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR0540T3G
ON Semiconductor

MBR0540T3G

частка акцыі: 134793

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 510mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NSR0240V2T1G
ON Semiconductor

NSR0240V2T1G

частка акцыі: 115027

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 3ns,

Ліст з жаданняў
MBRS140T3G
ON Semiconductor

MBRS140T3G

частка акцыі: 101708

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NSR05F40NXT5G
ON Semiconductor

NSR05F40NXT5G

частка акцыі: 187389

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 460mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRA340T3G
ON Semiconductor

MBRA340T3G

частка акцыі: 123158

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVTS245ESFT1G
ON Semiconductor

NRVTS245ESFT1G

частка акцыі: 178237

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NSR0530P2T5G
ON Semiconductor

NSR0530P2T5G

частка акцыі: 131901

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MRA4006T3G
ON Semiconductor

MRA4006T3G

частка акцыі: 117896

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MUR420RLG
ON Semiconductor

MUR420RLG

частка акцыі: 197678

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 890mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
S3M
ON Semiconductor

S3M

частка акцыі: 159145

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
SBAS16LT1G
ON Semiconductor

SBAS16LT1G

частка акцыі: 180294

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
MBRS4201T3G
ON Semiconductor

MBRS4201T3G

частка акцыі: 154737

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 860mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
FDH300TR
ON Semiconductor

FDH300TR

частка акцыі: 121199

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 125V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
MBRS2H100T3G
ON Semiconductor

MBRS2H100T3G

частка акцыі: 199401

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 790mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MMSD914T1G
ON Semiconductor

MMSD914T1G

частка акцыі: 180265

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў