Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
BAX16TR
ON Semiconductor

BAX16TR

частка акцыі: 150810

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 1mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў
BAS19LT3G
ON Semiconductor

BAS19LT3G

частка акцыі: 192662

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAS21HT3G
ON Semiconductor

BAS21HT3G

частка акцыі: 109495

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAV19TR
ON Semiconductor

BAV19TR

частка акцыі: 121898

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAS40LT1G
ON Semiconductor

BAS40LT1G

частка акцыі: 133045

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS16WT1G
ON Semiconductor

BAS16WT1G

частка акцыі: 180061

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAS16TT1G
ON Semiconductor

BAS16TT1G

частка акцыі: 129916

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAT42XV2
ON Semiconductor

BAT42XV2

частка акцыі: 182129

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў
BAS16P2T5G
ON Semiconductor

BAS16P2T5G

частка акцыі: 150469

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAS116TT1G
ON Semiconductor

BAS116TT1G

частка акцыі: 142730

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 3µs,

Ліст з жаданняў
BAS20LT3G
ON Semiconductor

BAS20LT3G

частка акцыі: 188096

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAS20HT1G
ON Semiconductor

BAS20HT1G

частка акцыі: 157615

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAT54XV2T5G
ON Semiconductor

BAT54XV2T5G

частка акцыі: 132048

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў
BAS21LT3G
ON Semiconductor

BAS21LT3G

частка акцыі: 134422

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAS116LT1G
ON Semiconductor

BAS116LT1G

частка акцыі: 139783

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 3µs,

Ліст з жаданняў
BAS16LT3G
ON Semiconductor

BAS16LT3G

частка акцыі: 111908

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAT43XV2
ON Semiconductor

BAT43XV2

частка акцыі: 147496

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў
BAT54T1G
ON Semiconductor

BAT54T1G

частка акцыі: 171359

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў
BAS40SL
ON Semiconductor

BAS40SL

частка акцыі: 115454

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 8ns,

Ліст з жаданняў
BAS21HT1G
ON Semiconductor

BAS21HT1G

частка акцыі: 124453

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAS16
ON Semiconductor

BAS16

частка акцыі: 116307

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 85V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAS16XV2T1G
ON Semiconductor

BAS16XV2T1G

частка акцыі: 103183

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAS21LT1G
ON Semiconductor

BAS21LT1G

частка акцыі: 171870

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAT54LT1G
ON Semiconductor

BAT54LT1G

частка акцыі: 129588

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў
BAT54XV2T1G
ON Semiconductor

BAT54XV2T1G

частка акцыі: 189003

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў
BAS16HT1G
ON Semiconductor

BAS16HT1G

частка акцыі: 130768

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAT54HT1G
ON Semiconductor

BAT54HT1G

частка акцыі: 191543

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў
BAS16LT1G
ON Semiconductor

BAS16LT1G

частка акцыі: 135835

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAT54T
ON Semiconductor

BAT54T

частка акцыі: 135677

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў
NSR0530HT1G
ON Semiconductor

NSR0530HT1G

частка акцыі: 154488

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NTS245SFT3G
ON Semiconductor

NTS245SFT3G

частка акцыі: 165968

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 630mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NSR20F20NXT5G
ON Semiconductor

NSR20F20NXT5G

частка акцыі: 114297

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SMMSD4148T3G
ON Semiconductor

SMMSD4148T3G

частка акцыі: 146426

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў
NSR05F30NXT5G
ON Semiconductor

NSR05F30NXT5G

частка акцыі: 110584

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 430mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NTST30100SG
ON Semiconductor

NTST30100SG

частка акцыі: 60575

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MR852G
ON Semiconductor

MR852G

частка акцыі: 183101

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 300ns,

Ліст з жаданняў