Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
MM3Z3V6C
ON Semiconductor

MM3Z3V6C

частка акцыі: 158777

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 84 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4.5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ15ET1G
ON Semiconductor

SZMMSZ15ET1G

частка акцыі: 137200

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5253B
ON Semiconductor

MMBZ5253B

частка акцыі: 5539

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5256BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5256BT1G

частка акцыі: 175387

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 49 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5228B
ON Semiconductor

MMBZ5228B

частка акцыі: 5529

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ4V3T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4V3T1G

частка акцыі: 172671

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5254BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5254BLT1G

частка акцыі: 118422

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 41 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5232B
ON Semiconductor

MMSZ5232B

частка акцыі: 105031

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 11 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ4694T1G
ON Semiconductor

MMSZ4694T1G

частка акцыі: 126606

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 6.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5242ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5242ELT1G

частка акцыі: 125795

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5238B
ON Semiconductor

MMBZ5238B

частка акцыі: 5546

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z3V9B
ON Semiconductor

MM3Z3V9B

частка акцыі: 114366

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 84 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.7µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z2V4C
ON Semiconductor

MM3Z2V4C

частка акцыі: 101864

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 94 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5235B
ON Semiconductor

MMBZ5235B

частка акцыі: 5516

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5254B
ON Semiconductor

MMBZ5254B

частка акцыі: 5546

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 41 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5237B
ON Semiconductor

MMSZ5237B

частка акцыі: 5449

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5239B
ON Semiconductor

MMBZ5239B

частка акцыі: 5476

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZBZX84C2V4ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C2V4ET1G

частка акцыі: 106418

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±8%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ4692
ON Semiconductor

MMSZ4692

частка акцыі: 5446

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 5.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z7V5B
ON Semiconductor

MM3Z7V5B

частка акцыі: 110500

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 900nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z11VB
ON Semiconductor

MM3Z11VB

частка акцыі: 156222

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 18 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 900nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5236BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5236BT1G

частка акцыі: 132632

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMM3Z22VT1G
ON Semiconductor

SZMM3Z22VT1G

частка акцыі: 128990

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZBZX84C24LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C24LT1G

частка акцыі: 176376

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ27ET1G
ON Semiconductor

SZMMSZ27ET1G

частка акцыі: 113523

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5247B
ON Semiconductor

MMSZ5247B

частка акцыі: 5500

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5249B
ON Semiconductor

MMBZ5249B

частка акцыі: 5509

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z9V1B
ON Semiconductor

MM3Z9V1B

частка акцыі: 163038

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 450nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5249BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5249BLT1G

частка акцыі: 199428

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZBZX84C39ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C39ET1G

частка акцыі: 143195

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 130 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 27.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5244B
ON Semiconductor

MMSZ5244B

частка акцыі: 5489

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5230B
ON Semiconductor

MMSZ5230B

частка акцыі: 5451

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5253BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5253BLT1G

частка акцыі: 164393

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5239BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5239BT1G

частка акцыі: 158381

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5255B
ON Semiconductor

MMSZ5255B

частка акцыі: 5485

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 28V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 44 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5255ET1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5255ET1G

частка акцыі: 5444

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 28V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 44 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў