Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
MM5Z15VT1G
ON Semiconductor

MM5Z15VT1G

частка акцыі: 138003

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMBZ5254BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5254BLT1G

частка акцыі: 183163

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 41 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5242ET1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5242ET1G

частка акцыі: 127576

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z62VT1G
ON Semiconductor

MM3Z62VT1G

частка акцыі: 109990

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 215 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 43.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZ1SMB5931BT3G-VF01
ON Semiconductor

SZ1SMB5931BT3G-VF01

частка акцыі: 149196

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 12 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z27VST1G
ON Semiconductor

MM3Z27VST1G

частка акцыі: 150441

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 26.86V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMM3Z22VST1G
ON Semiconductor

SZMM3Z22VST1G

частка акцыі: 166372

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ33ET3G
ON Semiconductor

SZMMSZ33ET3G

частка акцыі: 132060

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM5Z3V3T1G
ON Semiconductor

MM5Z3V3T1G

частка акцыі: 117569

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6.1%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5222BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5222BT1G

частка акцыі: 144544

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMM3Z12VST1G
ON Semiconductor

SZMM3Z12VST1G

частка акцыі: 141483

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ2V7ET1G
ON Semiconductor

SZMMSZ2V7ET1G

частка акцыі: 132371

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZ1SMB5947BT3G
ON Semiconductor

SZ1SMB5947BT3G

частка акцыі: 198573

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 82V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 160 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 62.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ4713T1G
ON Semiconductor

MMSZ4713T1G

частка акцыі: 132327

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 22.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ4702T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4702T1G

частка акцыі: 105356

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZBZX84C24ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C24ET1G

частка акцыі: 169719

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
NZ9F22VT5G
ON Semiconductor

NZ9F22VT5G

частка акцыі: 112895

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5248BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5248BT1G

частка акцыі: 191695

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 21 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMM3Z2V4T1G
ON Semiconductor

SZMM3Z2V4T1G

частка акцыі: 172495

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±8%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ4711T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4711T1G

частка акцыі: 199872

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 20.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5234BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5234BT1G

частка акцыі: 137059

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ4689T3G
ON Semiconductor

SZMMSZ4689T3G

частка акцыі: 136944

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZNZ9F15VT5G
ON Semiconductor

SZNZ9F15VT5G

частка акцыі: 107222

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 42 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZ1SMA5939BT3G
ON Semiconductor

SZ1SMA5939BT3G

частка акцыі: 167964

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5272BT3G
ON Semiconductor

SZMMSZ5272BT3G

частка акцыі: 130665

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 110V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 750 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 84V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5266BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5266BT1G

частка акцыі: 137520

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 230 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 52V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ4V7T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4V7T1G

частка акцыі: 184390

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMM3Z62VT1G
ON Semiconductor

SZMM3Z62VT1G

частка акцыі: 159532

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 215 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 43.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ4690T3G
ON Semiconductor

MMSZ4690T3G

частка акцыі: 139471

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ22T1G
ON Semiconductor

MMSZ22T1G

частка акцыі: 167255

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZ1SMA5940BT3G
ON Semiconductor

SZ1SMA5940BT3G

частка акцыі: 197797

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 53 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 32.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
SZBZX84C9V1ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C9V1ET1G

частка акцыі: 161268

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM5Z6V8ST1G
ON Semiconductor

MM5Z6V8ST1G

частка акцыі: 111909

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5243BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5243BT1G

частка акцыі: 156487

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 13 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZ1SMA5931BT3G
ON Semiconductor

SZ1SMA5931BT3G

частка акцыі: 139157

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 12 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
SZMM5Z2V7T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z2V7T1G

частка акцыі: 140769

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±7.4%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў