Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
1N5387BRL
ON Semiconductor

1N5387BRL

частка акцыі: 5232

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 190V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 144V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5382BRLG
ON Semiconductor

1N5382BRLG

частка акцыі: 5260

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 140V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 230 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 106V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5384BRL
ON Semiconductor

1N5384BRL

частка акцыі: 5270

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 122V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5381BRL
ON Semiconductor

1N5381BRL

частка акцыі: 5219

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 130V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 190 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 98.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5381BG
ON Semiconductor

1N5381BG

частка акцыі: 5257

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 130V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 190 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 98.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5380BRL
ON Semiconductor

1N5380BRL

частка акцыі: 3582

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 120V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 91.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5379BG
ON Semiconductor

1N5379BG

частка акцыі: 5263

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 110V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 83.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5377BRL
ON Semiconductor

1N5377BRL

частка акцыі: 5198

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 91V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 75 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 69.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5376BRLG
ON Semiconductor

1N5376BRLG

частка акцыі: 5198

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 87V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 75 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 66V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5375BRL
ON Semiconductor

1N5375BRL

частка акцыі: 5192

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 82V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 62.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5373BRL
ON Semiconductor

1N5373BRL

частка акцыі: 5242

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 44 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 51.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5372BRL
ON Semiconductor

1N5372BRL

частка акцыі: 5221

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 42 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 47.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5367BRL
ON Semiconductor

1N5367BRL

частка акцыі: 3579

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 32.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5370BRL
ON Semiconductor

1N5370BRL

частка акцыі: 5259

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 42.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5360BRL
ON Semiconductor

1N5360BRL

частка акцыі: 5219

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5366BRL
ON Semiconductor

1N5366BRL

частка акцыі: 3548

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5356BRL
ON Semiconductor

1N5356BRL

частка акцыі: 5190

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 14.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5356BG
ON Semiconductor

1N5356BG

частка акцыі: 5224

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 14.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5354BRL
ON Semiconductor

1N5354BRL

частка акцыі: 3572

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 12.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5351BRL
ON Semiconductor

1N5351BRL

частка акцыі: 5177

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 10.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5345BRL
ON Semiconductor

1N5345BRL

частка акцыі: 5202

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 6.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5348BRL
ON Semiconductor

1N5348BRL

частка акцыі: 5253

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5337BRL
ON Semiconductor

1N5337BRL

частка акцыі: 5168

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5340BRL
ON Semiconductor

1N5340BRL

частка акцыі: 5259

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5336BRL
ON Semiconductor

1N5336BRL

частка акцыі: 5205

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5334BRL
ON Semiconductor

1N5334BRL

частка акцыі: 5227

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 150µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5334BG
ON Semiconductor

1N5334BG

частка акцыі: 5194

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 150µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5221B_T50R
ON Semiconductor

1N5221B_T50R

частка акцыі: 5223

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5253BTR
ON Semiconductor

1N5253BTR

частка акцыі: 195642

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N749A_S62Z
ON Semiconductor

1N749A_S62Z

частка акцыі: 5113

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N979B_T50R
ON Semiconductor

1N979B_T50R

частка акцыі: 5045

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Ліст з жаданняў
1N979B_T50A
ON Semiconductor

1N979B_T50A

частка акцыі: 3531

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Ліст з жаданняў
1N978B_T50R
ON Semiconductor

1N978B_T50R

частка акцыі: 3548

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Ліст з жаданняў
1N978B_T50A
ON Semiconductor

1N978B_T50A

частка акцыі: 5085

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Ліст з жаданняў
1N977B_T50R
ON Semiconductor

1N977B_T50R

частка акцыі: 5094

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 105 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 35.8V,

Ліст з жаданняў
1N977B_T50A
ON Semiconductor

1N977B_T50A

частка акцыі: 5064

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 105 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 35.8V,

Ліст з жаданняў