Транзістары - FET, MOSFET - масівы

NVMFD5C470NLWFT1G

частка акцыі: 277

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 20µA,

FDMS3660S

частка акцыі: 144159

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.7V @ 250µA,

FDMD8440L

частка акцыі: 9941

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21A (Ta), 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

FDMS3686S

частка акцыі: 98643

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A, 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.7V @ 250µA,

SQJ500EPTR

частка акцыі: 2970

VEC2616-TL-H-Z-W

частка акцыі: 9922

NTMFD4902NFT3G

частка акцыі: 98047

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.3A, 13.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

SSD2007ATF

частка акцыі: 2977

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2G

частка акцыі: 2922

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

FDS3992

частка акцыі: 87571

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTBG

частка акцыі: 162644

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

FDPC3D5N025X9D

частка акцыі: 97245

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 74A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

FDS8949

частка акцыі: 64827

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

ECH8655R-TL-H

частка акцыі: 174892

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

NDS8958

частка акцыі: 2659

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.3A, 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.8V @ 250µA,

NTHD3100CT3

частка акцыі: 2692

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.9A, 3.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

FDY4001CZ

частка акцыі: 2688

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 200mA, 150mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

NTMD6P02R2SG

частка акцыі: 2763

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2

частка акцыі: 2667

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

FDMS3660S-F121

частка акцыі: 2953

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.7V @ 250µA,

NTMD2P01R2G

частка акцыі: 2669

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 16V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-H-Z

частка акцыі: 2971

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDMC8200S_F106

частка акцыі: 3352

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, 8.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

FW812-TL-E

частка акцыі: 2832

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 35V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.6V @ 1mA,

NTLUD3191PZTBG

частка акцыі: 2826

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

FDS8962C

частка акцыі: 2774

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A, 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

NTMC1300R2

частка акцыі: 3306

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.2A, 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

FDW9926NZ

частка акцыі: 2770

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

FDR8308P

частка акцыі: 2748

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

EMH2407-TL-H

частка акцыі: 165186

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V,

ECH8619-TL-E

частка акцыі: 2845

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A, 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDZ2554P

частка акцыі: 2769

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

FDW2501NZ

частка акцыі: 2739

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

FDJ1032C

частка акцыі: 2679

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.2A, 2.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

NTQD6968R2

частка акцыі: 2684

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

FDW2512NZ

частка акцыі: 2739

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,