Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - зменная ёмістасць (варыкапы, варактары)

  • Дом
  •  
  • Дыёды - зменная ёмістасць (варыкапы, варактары)
SVC203C-TB-E
ON Semiconductor

SVC203C-TB-E

частка акцыі: 178025

Ёмістасць @ Vr, F: 13.4pF @ 9V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 4.6, Умова каэфіцыента ёмістасці: C1/C9, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 16V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 60 @ 3V, 100MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV109LT3G
ON Semiconductor

MMBV109LT3G

частка акцыі: 7476

Ёмістасць @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C25, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV409LT1
ON Semiconductor

MMBV409LT1

частка акцыі: 4762

Ёмістасць @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 1.9, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV3102LT1
ON Semiconductor

MMBV3102LT1

частка акцыі: 7497

Ёмістасць @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 4.8, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C25, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV809LT3G
ON Semiconductor

MMBV809LT3G

частка акцыі: 7496

Ёмістасць @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.6, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Ліст з жаданняў
MV104G
ON Semiconductor

MV104G

частка акцыі: 7467

Ёмістасць @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.8, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 32V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV105GLT1G
ON Semiconductor

MMBV105GLT1G

частка акцыі: 7457

Ёмістасць @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C25, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV2108LT1G
ON Semiconductor

MMBV2108LT1G

частка акцыі: 7478

Ёмістасць @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV409LT1G
ON Semiconductor

MMBV409LT1G

частка акцыі: 7505

Ёмістасць @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 1.9, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV2105LT1
ON Semiconductor

MMBV2105LT1

частка акцыі: 7497

Ёмістасць @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MV209G
ON Semiconductor

MV209G

частка акцыі: 7434

Ёмістасць @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C25, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
SVC236-TB-E
ON Semiconductor

SVC236-TB-E

частка акцыі: 172795

Ёмістасць @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C1/C6.5, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 16V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV105GLT1
ON Semiconductor

MMBV105GLT1

частка акцыі: 7466

Ёмістасць @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C25, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MV2105
ON Semiconductor

MV2105

частка акцыі: 4830

Ёмістасць @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
SVC230-TB-E
ON Semiconductor

SVC230-TB-E

частка акцыі: 129142

Ёмістасць @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 1.75, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 16V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

Ліст з жаданняў
MV2101
ON Semiconductor

MV2101

частка акцыі: 7532

Ёмістасць @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMVL109T1G
ON Semiconductor

MMVL109T1G

частка акцыі: 7529

Ёмістасць @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C25, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV2105LT1G
ON Semiconductor

MMBV2105LT1G

частка акцыі: 7480

Ёмістасць @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMVL809T1G
ON Semiconductor

MMVL809T1G

частка акцыі: 7476

Ёмістасць @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.6, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV2108LT1
ON Semiconductor

MMBV2108LT1

частка акцыі: 7527

Ёмістасць @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
SVC270-TL-E
ON Semiconductor

SVC270-TL-E

частка акцыі: 119447

Ёмістасць @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 1.75, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 16V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

Ліст з жаданняў
SVC272-TL-E
ON Semiconductor

SVC272-TL-E

частка акцыі: 157486

Ёмістасць @ Vr, F: 18.55pF @ 8V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.3, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 16V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

Ліст з жаданняў
SVC383T-TL-E
ON Semiconductor

SVC383T-TL-E

частка акцыі: 7528

Ёмістасць @ Vr, F: 27pF @ 6.5V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 24.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C1/C6.5, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 33V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 1V, 1MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV109LT1G
ON Semiconductor

MMBV109LT1G

частка акцыі: 7474

Ёмістасць @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C25, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV2109LT1
ON Semiconductor

MMBV2109LT1

частка акцыі: 7496

Ёмістасць @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV609LT1
ON Semiconductor

MMBV609LT1

частка акцыі: 7446

Ёмістасць @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.4, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV432LT1
ON Semiconductor

MMBV432LT1

частка акцыі: 7461

Ёмістасць @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 14V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV2109LT1G
ON Semiconductor

MMBV2109LT1G

частка акцыі: 7468

Ёмістасць @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MV2109G
ON Semiconductor

MV2109G

частка акцыі: 7495

Ёмістасць @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMVL2101T1G
ON Semiconductor

MMVL2101T1G

частка акцыі: 7502

Ёмістасць @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV2101LT1G
ON Semiconductor

MMBV2101LT1G

частка акцыі: 7426

Ёмістасць @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV2107LT1
ON Semiconductor

MMBV2107LT1

частка акцыі: 4758

Ёмістасць @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV109LT3
ON Semiconductor

MMBV109LT3

частка акцыі: 7449

Ёмістасць @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C25, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MV2109RLRAG
ON Semiconductor

MV2109RLRAG

частка акцыі: 7459

Ёмістасць @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV809LT1
ON Semiconductor

MMBV809LT1

частка акцыі: 7482

Ёмістасць @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.6, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Ліст з жаданняў
MMBV2107LT1G
ON Semiconductor

MMBV2107LT1G

частка акцыі: 7528

Ёмістасць @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

Ліст з жаданняў