Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне
NSBC143TPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T5G

частка акцыі: 1450

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSVB143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB143ZPDXV6T1G

частка акцыі: 196250

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T5

частка акцыі: 1412

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBA114EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA114EDP6T5G

частка акцыі: 120046

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN5311DW1T2G
ON Semiconductor

MUN5311DW1T2G

частка акцыі: 169851

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC124XDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124XDXV6T1G

частка акцыі: 13291

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC143EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143EDP6T5G

частка акцыі: 175541

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBA143ZDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA143ZDXV6T5G

частка акцыі: 1440

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor

NSM46211DW6T1G

частка акцыі: 1520

Тып транзістара: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, 65V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
SMUN5314DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5314DW1T1G

частка акцыі: 107762

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC114YDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T1

частка акцыі: 1455

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSVMUN5332DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5332DW1T3G

частка акцыі: 126748

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBA114TDXV6T5
ON Semiconductor

NSBA114TDXV6T5

частка акцыі: 1453

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN5216DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5216DW1T1G

частка акцыі: 145375

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC124EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EPDP6T5G

частка акцыі: 102255

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN5216DW1T1
ON Semiconductor

MUN5216DW1T1

частка акцыі: 1438

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

частка акцыі: 154023

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

частка акцыі: 1465

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

частка акцыі: 133175

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

частка акцыі: 168681

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 1 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN5113DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

частка акцыі: 163385

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
EMC5DXV5T1
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

частка акцыі: 3198

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
SMUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

частка акцыі: 151022

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

частка акцыі: 182502

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

частка акцыі: 152242

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC114EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114EPDXV6T1

частка акцыі: 1506

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC144EPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T5G

частка акцыі: 158937

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor

NSM21356DW6T1G

частка акцыі: 1509

Тып транзістара: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, 65V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

Ліст з жаданняў
UMC3NT1G
ON Semiconductor

UMC3NT1G

частка акцыі: 190376

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
SMUN5237DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5237DW1T1G

частка акцыі: 103555

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T1G

частка акцыі: 136254

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
IMD10AMT1G
ON Semiconductor

IMD10AMT1G

частка акцыі: 131028

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 13 kOhms, 130 Ohms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
EMF18XV6T5G
ON Semiconductor

EMF18XV6T5G

частка акцыі: 145445

Тып транзістара: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, 60V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў
NSVMUN5333DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5333DW1T1G

частка акцыі: 176542

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN5336DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5336DW1T1G

частка акцыі: 115654

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBC114EPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EPDXV6T5G

частка акцыі: 179087

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў