Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, папяр

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, папяр
FJNS3204RBU
ON Semiconductor

FJNS3204RBU

частка акцыі: 3243

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJN4303RBU
ON Semiconductor

FJN4303RBU

частка акцыі: 2230

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
NSVDTA123EM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTA123EM3T5G

частка акцыі: 182177

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJNS4204RTA
ON Semiconductor

FJNS4204RTA

частка акцыі: 2293

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJNS3211RTA
ON Semiconductor

FJNS3211RTA

частка акцыі: 2294

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MUN5137T1
ON Semiconductor

MUN5137T1

частка акцыі: 3303

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJNS4208RTA
ON Semiconductor

FJNS4208RTA

частка акцыі: 3279

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
NSBC123EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC123EF3T5G

частка акцыі: 143495

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJV4103RMTF
ON Semiconductor

FJV4103RMTF

частка акцыі: 2286

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJN4312RBU
ON Semiconductor

FJN4312RBU

частка акцыі: 2260

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
NSVDTC114YM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTC114YM3T5G

частка акцыі: 108979

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJNS3214RTA
ON Semiconductor

FJNS3214RTA

частка акцыі: 2254

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA123TET1G
ON Semiconductor

DTA123TET1G

частка акцыі: 145984

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJN3306RTA
ON Semiconductor

FJN3306RTA

частка акцыі: 3294

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA115EET1
ON Semiconductor

DTA115EET1

частка акцыі: 3306

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTC115TET1G
ON Semiconductor

DTC115TET1G

частка акцыі: 111333

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSBA143EF3T5G
ON Semiconductor

NSBA143EF3T5G

частка акцыі: 123571

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJN3311RBU
ON Semiconductor

FJN3311RBU

частка акцыі: 2234

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJN3310RTA
ON Semiconductor

FJN3310RTA

частка акцыі: 2283

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJNS4207RBU
ON Semiconductor

FJNS4207RBU

частка акцыі: 2310

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MUN5141T1G
ON Semiconductor

MUN5141T1G

частка акцыі: 159892

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJN3313RBU
ON Semiconductor

FJN3313RBU

частка акцыі: 2283

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJNS3209RBU
ON Semiconductor

FJNS3209RBU

частка акцыі: 2256

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJNS4202RBU
ON Semiconductor

FJNS4202RBU

частка акцыі: 2305

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJNS3207RBU
ON Semiconductor

FJNS3207RBU

частка акцыі: 2283

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
NSBC144TF3T5G
ON Semiconductor

NSBC144TF3T5G

частка акцыі: 165088

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJNS3206RTA
ON Semiconductor

FJNS3206RTA

частка акцыі: 2263

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MMUN2113LT1
ON Semiconductor

MMUN2113LT1

частка акцыі: 2205

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
SMUN5215T1G
ON Semiconductor

SMUN5215T1G

частка акцыі: 155996

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN2214T1
ON Semiconductor

MUN2214T1

частка акцыі: 2272

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN5136T1
ON Semiconductor

MUN5136T1

частка акцыі: 2247

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJV3112RMTF
ON Semiconductor

FJV3112RMTF

частка акцыі: 2218

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJN4312RTA
ON Semiconductor

FJN4312RTA

частка акцыі: 3304

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJNS3211RBU
ON Semiconductor

FJNS3211RBU

частка акцыі: 2239

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MMUN2141LT1G
ON Semiconductor

MMUN2141LT1G

частка акцыі: 197568

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJV4105RMTF
ON Semiconductor

FJV4105RMTF

частка акцыі: 2290

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў