Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, папяр

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, папяр
DTC114YM3T5G
ON Semiconductor

DTC114YM3T5G

частка акцыі: 149165

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN2130T1
ON Semiconductor

MUN2130T1

частка акцыі: 1886

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 1 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTA144WM3T5G
ON Semiconductor

DTA144WM3T5G

частка акцыі: 145545

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSVMMUN2133LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2133LT1G

частка акцыі: 176066

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJY3013R
ON Semiconductor

FJY3013R

частка акцыі: 1891

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MUN2215T1G
ON Semiconductor

MUN2215T1G

частка акцыі: 137107

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJY3014R
ON Semiconductor

FJY3014R

частка акцыі: 3270

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MUN2132T1
ON Semiconductor

MUN2132T1

частка акцыі: 1898

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTC115EET1G
ON Semiconductor

DTC115EET1G

частка акцыі: 184884

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJY4007R
ON Semiconductor

FJY4007R

частка акцыі: 1870

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJX4011RTF
ON Semiconductor

FJX4011RTF

частка акцыі: 1899

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DTA144EET1G
ON Semiconductor

DTA144EET1G

частка акцыі: 193208

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTC143EET1G
ON Semiconductor

DTC143EET1G

частка акцыі: 145510

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
NSVMMUN2232LT3G
ON Semiconductor

NSVMMUN2232LT3G

частка акцыі: 186770

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTA143ZET1
ON Semiconductor

DTA143ZET1

частка акцыі: 1895

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MMUN2111LT1G
ON Semiconductor

MMUN2111LT1G

частка акцыі: 178380

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
SMMUN2114LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2114LT1G

частка акцыі: 131501

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTA115EET1G
ON Semiconductor

DTA115EET1G

частка акцыі: 176363

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN2111T3
ON Semiconductor

MUN2111T3

частка акцыі: 1925

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJX4005RTF
ON Semiconductor

FJX4005RTF

частка акцыі: 1869

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJY4013R
ON Semiconductor

FJY4013R

частка акцыі: 3199

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJY4005R
ON Semiconductor

FJY4005R

частка акцыі: 1926

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MUN5234T1G
ON Semiconductor

MUN5234T1G

частка акцыі: 103534

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MMUN2232LT1G
ON Semiconductor

MMUN2232LT1G

частка акцыі: 111952

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
SMMUN2211LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2211LT1G

частка акцыі: 199142

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJY4003R
ON Semiconductor

FJY4003R

частка акцыі: 1884

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
FJY3012R
ON Semiconductor

FJY3012R

частка акцыі: 1842

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў
NSVMUN5132T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5132T1G

частка акцыі: 147425

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTC124EET1G
ON Semiconductor

DTC124EET1G

частка акцыі: 143586

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTC123EET1G
ON Semiconductor

DTC123EET1G

частка акцыі: 138870

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
FJY3006R
ON Semiconductor

FJY3006R

частка акцыі: 1849

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў
MUN2211T3G
ON Semiconductor

MUN2211T3G

частка акцыі: 169238

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTA114TXV3T1G
ON Semiconductor

DTA114TXV3T1G

частка акцыі: 1938

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
DTA123JET1
ON Semiconductor

DTA123JET1

частка акцыі: 1884

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MMUN2230LT1
ON Semiconductor

MMUN2230LT1

частка акцыі: 1914

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 1 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў
MUN5212T1G
ON Semiconductor

MUN5212T1G

частка акцыі: 121602

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў