Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ
EC4H08C-TL-H
ON Semiconductor

EC4H08C-TL-H

частка акцыі: 7215

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3.5V, Частата - пераход: 24GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.5dB @ 2GHz, Прыбытак: 17dB, Магутнасць - Макс: 50mW,

Ліст з жаданняў
FH105A-TR-E
ON Semiconductor

FH105A-TR-E

частка акцыі: 7198

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Частата - пераход: 8GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.4dB @ 1.5GHz, Прыбытак: 10dB @ 1.5GHz, Магутнасць - Макс: 150mW,

Ліст з жаданняў
CPH6001A-TL-E
ON Semiconductor

CPH6001A-TL-E

частка акцыі: 125950

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 6.7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 11dB, Магутнасць - Макс: 800mW,

Ліст з жаданняў
MMBTH81_D87Z
ON Semiconductor

MMBTH81_D87Z

частка акцыі: 7179

Тып транзістара: PNP, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Частата - пераход: 600MHz, Магутнасць - Макс: 225mW,

Ліст з жаданняў
CPH6020-TL-E
ON Semiconductor

CPH6020-TL-E

частка акцыі: 128147

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 8V, Частата - пераход: 16GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.2dB @ 1GHz, Прыбытак: 13.5dB, Магутнасць - Макс: 700mW,

Ліст з жаданняў
CPH6021-TL-H
ON Semiconductor

CPH6021-TL-H

частка акцыі: 179030

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 10GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.2dB @ 1GHz, Прыбытак: 14dB @ 1GHz, Магутнасць - Макс: 700mW,

Ліст з жаданняў
PN5179_D75Z
ON Semiconductor

PN5179_D75Z

частка акцыі: 7232

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 2GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 5dB @ 200MHz, Прыбытак: 15dB, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
PN5179_D27Z
ON Semiconductor

PN5179_D27Z

частка акцыі: 4716

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 2GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 5dB @ 200MHz, Прыбытак: 15dB, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
MMBTH10RG
ON Semiconductor

MMBTH10RG

частка акцыі: 132268

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Частата - пераход: 450MHz, Магутнасць - Макс: 225mW,

Ліст з жаданняў
MCH4013-TL-E
ON Semiconductor

MCH4013-TL-E

частка акцыі: 182705

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3.5V, Частата - пераход: 22.5GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.5dB @ 2GHz, Прыбытак: 16dB, Магутнасць - Макс: 50mW,

Ліст з жаданняў
CPH6003A-TL-E
ON Semiconductor

CPH6003A-TL-E

частка акцыі: 162174

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.8dB @ 1GHz, Прыбытак: 9dB, Магутнасць - Макс: 800mW,

Ліст з жаданняў
MPSH17RLRAG
ON Semiconductor

MPSH17RLRAG

частка акцыі: 7167

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Частата - пераход: 800MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 6dB @ 200MHz, Прыбытак: 24dB, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
MCH4014-TL-H
ON Semiconductor

MCH4014-TL-H

частка акцыі: 136241

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 10GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.2dB @ 1GHz, Прыбытак: 18dB, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
MMBTH10-4LT1
ON Semiconductor

MMBTH10-4LT1

частка акцыі: 4810

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Частата - пераход: 800MHz, Магутнасць - Макс: 225mW,

Ліст з жаданняў
MCH4016-TL-H
ON Semiconductor

MCH4016-TL-H

частка акцыі: 146016

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 10GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.2dB @ 1GHz, Прыбытак: 18dB, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
NSVF4017SG4T1G
ON Semiconductor

NSVF4017SG4T1G

частка акцыі: 9938

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 10GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.2dB @ 1GHz, Прыбытак: 17dB, Магутнасць - Макс: 450mW,

Ліст з жаданняў
EC4H09C-TL-H
ON Semiconductor

EC4H09C-TL-H

частка акцыі: 7208

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3.5V, Частата - пераход: 26GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.3dB @ 2GHz, Прыбытак: 15dB, Магутнасць - Макс: 120mW,

Ліст з жаданняў
MMBT918
ON Semiconductor

MMBT918

частка акцыі: 167438

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Частата - пераход: 600MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 6dB @ 60MHz, Прыбытак: 15dB, Магутнасць - Макс: 225mW,

Ліст з жаданняў
MMBTH11
ON Semiconductor

MMBTH11

частка акцыі: 102202

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Частата - пераход: 650MHz, Магутнасць - Макс: 225mW,

Ліст з жаданняў
MMBTH24
ON Semiconductor

MMBTH24

частка акцыі: 192649

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Частата - пераход: 400MHz, Магутнасць - Макс: 225mW,

Ліст з жаданняў
PN3563_D75Z
ON Semiconductor

PN3563_D75Z

частка акцыі: 7246

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Частата - пераход: 1.5GHz, Прыбытак: 14dB ~ 26dB, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
MSC2295-BT1G
ON Semiconductor

MSC2295-BT1G

частка акцыі: 7211

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Частата - пераход: 150MHz, Магутнасць - Макс: 200mW,

Ліст з жаданняў
MMBTH10M3T5G
ON Semiconductor

MMBTH10M3T5G

частка акцыі: 110865

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Частата - пераход: 650MHz, Магутнасць - Макс: 265mW,

Ліст з жаданняў
NSVF4015SG4T1G
ON Semiconductor

NSVF4015SG4T1G

частка акцыі: 9920

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 10GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.2dB @ 1GHz, Прыбытак: 17dB, Магутнасць - Макс: 450mW,

Ліст з жаданняў
MSC3930-BT1G
ON Semiconductor

MSC3930-BT1G

частка акцыі: 7224

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Частата - пераход: 150MHz, Магутнасць - Макс: 200mW,

Ліст з жаданняў
NSVF3007SG3T1G
ON Semiconductor

NSVF3007SG3T1G

частка акцыі: 9957

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 8GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.8dB @ 1GHz, Прыбытак: 12dB, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
MSC3930-BT1
ON Semiconductor

MSC3930-BT1

частка акцыі: 7157

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Частата - пераход: 150MHz, Магутнасць - Макс: 200mW,

Ліст з жаданняў
MPSH10_D27Z
ON Semiconductor

MPSH10_D27Z

частка акцыі: 7177

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Частата - пераход: 650MHz, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
PN3563_D74Z
ON Semiconductor

PN3563_D74Z

частка акцыі: 7191

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Частата - пераход: 1.5GHz, Прыбытак: 14dB ~ 26dB, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
KSP10TA
ON Semiconductor

KSP10TA

частка акцыі: 136673

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Частата - пераход: 650MHz, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
FH102A-TR-E
ON Semiconductor

FH102A-TR-E

частка акцыі: 7259

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 1GHz, Прыбытак: 12dB, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
PN5179_D26Z
ON Semiconductor

PN5179_D26Z

частка акцыі: 7225

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 2GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 5dB @ 200MHz, Прыбытак: 15dB, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
MCH4021-TL-H
ON Semiconductor

MCH4021-TL-H

частка акцыі: 7338

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 8V, Частата - пераход: 16GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.2dB @ 1GHz, Прыбытак: 17.5dB, Магутнасць - Макс: 400mW,

Ліст з жаданняў
PN918_D74Z
ON Semiconductor

PN918_D74Z

частка акцыі: 7189

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Частата - пераход: 600MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 6dB @ 60MHz, Прыбытак: 15dB, Магутнасць - Макс: 350mW,

Ліст з жаданняў
NSVMMBTH10LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBTH10LT1G

частка акцыі: 177259

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Частата - пераход: 650MHz, Магутнасць - Макс: 225mW,

Ліст з жаданняў
MSD2714AT1G
ON Semiconductor

MSD2714AT1G

частка акцыі: 7212

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Частата - пераход: 650MHz, Магутнасць - Макс: 225mW,

Ліст з жаданняў