Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя
NTD4809NAT4G
ON Semiconductor

NTD4809NAT4G

частка акцыі: 482

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTMFS4841NHT3G
ON Semiconductor

NTMFS4841NHT3G

частка акцыі: 488

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8.6A (Ta), 59A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTD4815NH-1G
ON Semiconductor

NTD4815NH-1G

частка акцыі: 458

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTJS3157NT4
ON Semiconductor

NTJS3157NT4

частка акцыі: 347

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.2A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
NVTFS5C670NLTAG
ON Semiconductor

NVTFS5C670NLTAG

частка акцыі: 148040

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 16A (Ta), 70A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 35A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTD85N02R-1G
ON Semiconductor

NTD85N02R-1G

частка акцыі: 371

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A (Ta), 85A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў
FDZ291P
ON Semiconductor

FDZ291P

частка акцыі: 423

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.6A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
NTHD3101FT3
ON Semiconductor

NTHD3101FT3

частка акцыі: 333

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.2A (Tj), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
NTD4815N-1G
ON Semiconductor

NTD4815N-1G

частка акцыі: 345

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTS2101PT1
ON Semiconductor

NTS2101PT1

частка акцыі: 321

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.4A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
FDMS8670
ON Semiconductor

FDMS8670

частка акцыі: 580

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A (Ta), 42A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 24A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTD50N03R
ON Semiconductor

NTD50N03R

частка акцыі: 6031

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Ліст з жаданняў
FDS5692Z
ON Semiconductor

FDS5692Z

частка акцыі: 597

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.8A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.8A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTGS3441PT1G
ON Semiconductor

NTGS3441PT1G

частка акцыі: 480

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.8A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
NTD4810NH-1G
ON Semiconductor

NTD4810NH-1G

частка акцыі: 486

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A (Ta), 54A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTD32N06L-1G
ON Semiconductor

NTD32N06L-1G

частка акцыі: 273

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 32A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 16A, 5V,

Ліст з жаданняў
NTMS4706NR2G
ON Semiconductor

NTMS4706NR2G

частка акцыі: 375

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.4A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10.3A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTD4810NH-35G
ON Semiconductor

NTD4810NH-35G

частка акцыі: 499

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A (Ta), 54A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTGD4169FT1G
ON Semiconductor

NTGD4169FT1G

частка акцыі: 6075

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.6A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
NTD70N03R
ON Semiconductor

NTD70N03R

частка акцыі: 6051

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A (Ta), 32A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTTFS4C05NTAG
ON Semiconductor

NTTFS4C05NTAG

частка акцыі: 174926

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A (Ta), 75A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTLJF3117PTAG
ON Semiconductor

NTLJF3117PTAG

частка акцыі: 6127

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.3A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
NTMFS4837NHT3G
ON Semiconductor

NTMFS4837NHT3G

частка акцыі: 463

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.2A (Ta), 75A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTD4860N-35G
ON Semiconductor

NTD4860N-35G

частка акцыі: 520

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.4A (Ta), 65A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
HUF75344A3
ON Semiconductor

HUF75344A3

частка акцыі: 494

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 75A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTLJS3113PTAG
ON Semiconductor

NTLJS3113PTAG

частка акцыі: 527

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
NTD4804N-1G
ON Semiconductor

NTD4804N-1G

частка акцыі: 446

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTHD5904NT3G
ON Semiconductor

NTHD5904NT3G

частка акцыі: 348

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
NTR4502PT3
ON Semiconductor

NTR4502PT3

частка акцыі: 332

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.13A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTF3055-100T3G
ON Semiconductor

NTF3055-100T3G

частка акцыі: 323

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.5A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTZS3151PT5G
ON Semiconductor

NTZS3151PT5G

частка акцыі: 352

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 860mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 950mA, 4.5V,

Ліст з жаданняў
NTD3808N-35G
ON Semiconductor

NTD3808N-35G

частка акцыі: 552

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 16V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A (Ta), 76A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTD4805N-1G
ON Semiconductor

NTD4805N-1G

частка акцыі: 450

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12.7A (Ta), 95A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTD3817N-1G
ON Semiconductor

NTD3817N-1G

частка акцыі: 541

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 16V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTD4806NAT4G
ON Semiconductor

NTD4806NAT4G

частка акцыі: 442

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTMFS4108NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4108NT3G

частка акцыі: 372

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 21A, 10V,

Ліст з жаданняў