частка акцыі: 65817
Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.9A (Ta), 62A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 62A, 10V,