Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя
FQPF20N06L
ON Semiconductor

FQPF20N06L

частка акцыі: 57269

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15.7A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 7.85A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTMFS4H01NFT3G
ON Semiconductor

NTMFS4H01NFT3G

частка акцыі: 22706

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 54A (Ta), 334A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
FDD050N03B
ON Semiconductor

FDD050N03B

частка акцыі: 199639

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Ліст з жаданняў
FDB2552
ON Semiconductor

FDB2552

частка акцыі: 57289

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 150V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A (Ta), 37A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 16A, 10V,

Ліст з жаданняў
MCH3478-TL-W-Z
ON Semiconductor

MCH3478-TL-W-Z

частка акцыі: 196866

Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4.5V,

Ліст з жаданняў
MCH3479-TL-W
ON Semiconductor

MCH3479-TL-W

частка акцыі: 114695

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
FDD6630A
ON Semiconductor

FDD6630A

частка акцыі: 167158

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.6A, 10V,

Ліст з жаданняў
FDB070AN06A0
ON Semiconductor

FDB070AN06A0

частка акцыі: 59371

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15A (Ta), 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

Ліст з жаданняў
NVATS5A112PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A112PLZT4G

частка акцыі: 163879

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 27A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 13A, 10V,

Ліст з жаданняў
ECH8315-TL-H
ON Semiconductor

ECH8315-TL-H

частка акцыі: 175911

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3.5A, 10V,

Ліст з жаданняў
FDPF190N15A
ON Semiconductor

FDPF190N15A

частка акцыі: 29084

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 150V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 27.4A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 27.4A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTP6410ANG
ON Semiconductor

NTP6410ANG

частка акцыі: 34781

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 76A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 76A, 10V,

Ліст з жаданняў
FQB6N80TM
ON Semiconductor

FQB6N80TM

частка акцыі: 27873

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 800V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.8A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V,

Ліст з жаданняў
FDB035N10A
ON Semiconductor

FDB035N10A

частка акцыі: 24746

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 120A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў
MCH3383-TL-W
ON Semiconductor

MCH3383-TL-W

частка акцыі: 186098

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0.9V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

Ліст з жаданняў
FQD19N10TM
ON Semiconductor

FQD19N10TM

частка акцыі: 190200

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15.6A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V,

Ліст з жаданняў
FQB33N10LTM
ON Semiconductor

FQB33N10LTM

частка акцыі: 95450

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 33A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 16.5A, 10V,

Ліст з жаданняў
HUF75639S3ST
ON Semiconductor

HUF75639S3ST

частка акцыі: 54485

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 56A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

Ліст з жаданняў
FQD8P10TM-F085
ON Semiconductor

FQD8P10TM-F085

частка акцыі: 138

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.6A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

Ліст з жаданняў
FDP047N08-F102
ON Semiconductor

FDP047N08-F102

частка акцыі: 114

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 75V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 164A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 80A, 10V,

Ліст з жаданняў
CPH6443-TL-W
ON Semiconductor

CPH6443-TL-W

частка акцыі: 103186

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 35V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 3A, 10V,

Ліст з жаданняў
MCH3374-TL-E
ON Semiconductor

MCH3374-TL-E

частка акцыі: 174170

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
CPH6444-TL-W
ON Semiconductor

CPH6444-TL-W

частка акцыі: 190869

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2A, 10V,

Ліст з жаданняў
FQD4P25TM-WS
ON Semiconductor

FQD4P25TM-WS

частка акцыі: 76

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.1A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V,

Ліст з жаданняў
FQD7N20LTM
ON Semiconductor

FQD7N20LTM

частка акцыі: 186597

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.75A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTNS3190NZT5G
ON Semiconductor

NTNS3190NZT5G

частка акцыі: 188849

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 224mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Ліст з жаданняў
NCV8440ASTT3G
ON Semiconductor

NCV8440ASTT3G

частка акцыі: 158511

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 59V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.6A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.6A, 10V,

Ліст з жаданняў
FQD5N20LTM
ON Semiconductor

FQD5N20LTM

частка акцыі: 197937

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.8A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTMFS4H01NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4H01NFT1G

частка акцыі: 20737

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 54A (Ta), 334A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў
NVMFS5A140PLZWFT1G
ON Semiconductor

NVMFS5A140PLZWFT1G

частка акцыі: 112

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A (Ta), 140A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

Ліст з жаданняў
MCH6431-TL-W
ON Semiconductor

MCH6431-TL-W

частка акцыі: 146667

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V,

Ліст з жаданняў
FDD4243-F085
ON Semiconductor

FDD4243-F085

частка акцыі: 73

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.7A (Ta), 14A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 6.7A, 10V,

Ліст з жаданняў
FDS4465-F085
ON Semiconductor

FDS4465-F085

частка акцыі: 119

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
FQP70N10
ON Semiconductor

FQP70N10

частка акцыі: 30568

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 57A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28.5A, 10V,

Ліст з жаданняў
NVD5C478NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C478NLT4G

частка акцыі: 100

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14A (Ta), 45A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў
NTGS3446T1G
ON Semiconductor

NTGS3446T1G

частка акцыі: 184967

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Ліст з жаданняў