Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A3P600L-1FGG144I

частка акцыі: 8212

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FGG144

частка акцыі: 8230

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FG144I

частка акцыі: 8198

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FGG144I

частка акцыі: 8174

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1FGG144

частка акцыі: 1871

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1FG144

частка акцыі: 8148

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V5-FGG144

частка акцыі: 8169

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250L-1FG144I

частка акцыі: 8152

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-FFGG144

частка акцыі: 8133

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-2FGG144

частка акцыі: 8103

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-FGG144I

частка акцыі: 8058

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250L-1FG144

частка акцыі: 8099

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-FG144I

частка акцыі: 8122

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-FFG144

частка акцыі: 8010

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-FGG144

частка акцыі: 8029

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600L-FGG144

частка акцыі: 7986

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA075-FG144

частка акцыі: 8047

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 100, Колькасць брамы: 75000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-FGG144

частка акцыі: 8010

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V5-FGG144

частка акцыі: 8006

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250L-FGG144I

частка акцыі: 7970

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250L-FG144I

частка акцыі: 7999

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-FFGG144

частка акцыі: 7939

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-FFG144

частка акцыі: 7903

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600L-1FGG144

частка акцыі: 7930

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P400-FG144

частка акцыі: 2275

Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-FGG144I

частка акцыі: 7944

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 96, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250L-FGG144

частка акцыі: 7888

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P250L-1FGG144

частка акцыі: 7858

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V2-FG144

частка акцыі: 1881

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V2-FGG144I

частка акцыі: 7821

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V2-FG144I

частка акцыі: 7858

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V5-FGG144I

частка акцыі: 7896

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P600-FG144

частка акцыі: 7846

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA075-FGG144

частка акцыі: 7878

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 100, Колькасць брамы: 75000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V5-FG144I

частка акцыі: 7763

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-2FGG144

частка акцыі: 7777

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў