Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A3PN250-Z1VQ100

частка акцыі: 8485

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN250-ZVQ100

частка акцыі: 8526

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN250-ZVQG100

частка акцыі: 1875

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN060V5-ZVQG100I

частка акцыі: 8499

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1536, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN250-Z1VQG100

частка акцыі: 8525

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL060V2-VQG100

частка акцыі: 8535

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1536, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN060V2-ZVQG100

частка акцыі: 8495

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1536, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN125V5-ZVQ100

частка акцыі: 1902

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN030V2-ZVQG100I

частка акцыі: 8513

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 768, Колькасць уводу-вываду: 77, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN060V2-ZVQ100

частка акцыі: 8420

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1536, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP030V2-VQ128

частка акцыі: 8447

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 792, Колькасць уводу-вываду: 101, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL030V2-VQG100I

частка акцыі: 8434

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 768, Колькасць уводу-вываду: 77, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN030V2-ZVQ100I

частка акцыі: 8452

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 768, Колькасць уводу-вываду: 77, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN060V5-VQG100I

частка акцыі: 8370

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1536, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN250-Z2VQ100

частка акцыі: 2210

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V2-CS196I

частка акцыі: 8444

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 143, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V5-CS196I

частка акцыі: 8400

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 143, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V5-CSG196I

частка акцыі: 8344

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 143, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V2-CSG196I

частка акцыі: 8422

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 143, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL400V5-FG144

частка акцыі: 8321

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9216, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 400000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL250V2-FGG144I

частка акцыі: 8384

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6144, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-2FG144

частка акцыі: 8369

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000L-1FG144I

частка акцыі: 8330

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-2FG144

частка акцыі: 8347

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-2FGG144I

частка акцыі: 8334

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1FG144I

частка акцыі: 8277

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-2FGG144I

частка акцыі: 8332

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-1FGG144I

частка акцыі: 8342

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX08A-2FG144I

частка акцыі: 8335

Колькасць LAB / CLB: 768, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 12000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-FG144

частка акцыі: 8286

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA450-FGG144I

частка акцыі: 8282

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 100, Колькасць брамы: 450000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16A-2FGG144

частка акцыі: 8300

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-2FG144I

частка акцыі: 8271

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA450-FG144I

частка акцыі: 8209

Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 100, Колькасць брамы: 450000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P1000L-FG144I

частка акцыі: 8234

Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-2FGG144

частка акцыі: 8251

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 111, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў