Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

AGLN015V2-QNG68I

частка акцыі: 9373

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 384, Колькасць уводу-вываду: 49, Колькасць брамы: 15000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P015-1QNG68I

частка акцыі: 9441

Колькасць уводу-вываду: 49, Колькасць брамы: 15000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P030-1QNG68I

частка акцыі: 9413

Колькасць уводу-вываду: 49, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN020V2-QNG68I

частка акцыі: 9359

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 520, Колькасць уводу-вываду: 49, Колькасць брамы: 20000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P030-1QNG48I

частка акцыі: 9334

Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL030V2-QNG48I

частка акцыі: 9387

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 768, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN010V2-QNG48I

частка акцыі: 9313

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 260, Колькасць уводу-вываду: 34, Колькасць брамы: 10000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN030-Z1QNG68I

частка акцыі: 9379

Колькасць уводу-вываду: 49, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN030-Z2QNG68I

частка акцыі: 9347

Колькасць уводу-вываду: 49, Колькасць брамы: 30000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V5-CSG281I

частка акцыі: 9296

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V5-CSG281

частка акцыі: 9286

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V5-CS281I

частка акцыі: 9315

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS090-QNG180I

частка акцыі: 9265

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 60, Колькасць брамы: 90000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V2-CSG281I

частка акцыі: 9275

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP125V5-CSG281

частка акцыі: 9243

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3120, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 212, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS090-2QNG180

частка акцыі: 9260

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 60, Колькасць брамы: 90000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V2-CSG281

частка акцыі: 9211

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V5-CSG281

частка акцыі: 9243

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS090-2QNG180I

частка акцыі: 9190

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 60, Колькасць брамы: 90000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V5-CS281I

частка акцыі: 1934

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V2-CS281I

частка акцыі: 9162

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS090-1QNG180

частка акцыі: 9172

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 60, Колькасць брамы: 90000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS090-QNG180

частка акцыі: 9183

Усяго біт аператыўнай памяці: 27648, Колькасць уводу-вываду: 60, Колькасць брамы: 90000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-QNG180I

частка акцыі: 9127

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 65, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP125V5-CS281I

частка акцыі: 1952

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3120, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 212, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V5-CSG281I

частка акцыі: 9062

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-1QNG180

частка акцыі: 9061

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 65, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-1QNG180I

частка акцыі: 9078

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 65, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP125V2-CS281I

частка акцыі: 9121

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3120, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 212, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLP125V5-CSG281I

частка акцыі: 9116

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3120, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 212, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-2QNG180

частка акцыі: 9039

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 65, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL1000V2-CS281I

частка акцыі: 9039

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24576, Усяго біт аператыўнай памяці: 147456, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-2QNG180I

частка акцыі: 9012

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 65, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AFS250-QNG180

частка акцыі: 9055

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 65, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN125-Z2VQG100I

частка акцыі: 8978

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL600V2-CSG281I

частка акцыі: 8939

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 110592, Колькасць уводу-вываду: 215, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў