Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - моставыя выпрамнікі

GBJ2508-04-G
Comchip Technology

GBJ2508-04-G

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
GBJ2510-04-G
Comchip Technology

GBJ2510-04-G

частка акцыі: 166

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
KBP208G-G
Comchip Technology

KBP208G-G

частка акцыі: 178210

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
KBPC50005-G
Comchip Technology

KBPC50005-G

частка акцыі: 30791

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
KBL402-G
Comchip Technology

KBL402-G

частка акцыі: 168160

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
KBU1002-G
Comchip Technology

KBU1002-G

частка акцыі: 86071

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
KBP202G-G
Comchip Technology

KBP202G-G

частка акцыі: 137854

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
GBPC3502-G
Comchip Technology

GBPC3502-G

частка акцыі: 29650

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
GBPC2502-G
Comchip Technology

GBPC2502-G

частка акцыі: 32635

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
TS10K40 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10K40 D3G

частка акцыі: 115

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
DBLS103GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS103GHRDG

частка акцыі: 109

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 200V,

Пажаданні
GBL202HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL202HD2G

частка акцыі: 147

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
RDBLS207GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

RDBLS207GHC1G

частка акцыі: 151

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1000V,

Пажаданні
GBPC4001 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4001 T0G

частка акцыі: 127

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
GBU601 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU601 D2G

частка акцыі: 164

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
TSS4B02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B02G D2G

частка акцыі: 116

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
GBPC1504 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1504 T0G

частка акцыі: 176

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
GBLA005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA005 D2G

частка акцыі: 156

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
DBLS205GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS205GHRDG

частка акцыі: 169

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 600V,

Пажаданні
TSS4B03GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B03GHD2G

частка акцыі: 119

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
DBL151G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL151G C1G

частка акцыі: 101

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 100V,

Пажаданні
DBLS152GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS152GHRDG

частка акцыі: 168

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 100V,

Пажаданні
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBS8HRCG

частка акцыі: 111

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
DBL154GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL154GHC1G

частка акцыі: 71

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 400V,

Пажаданні
GBPC3508M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3508M T0G

частка акцыі: 116

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
TS35P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P07G C2G

частка акцыі: 145

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
DBLS201G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS201G C1G

частка акцыі: 155

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 50V,

Пажаданні
TS25P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P07GHD2G

частка акцыі: 97

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
TS35P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P05G C2G

частка акцыі: 136

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
GBPC1502 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1502 T0G

частка акцыі: 141

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
GBL06-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL06-M3/45

частка акцыі: 117715

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
GBLA005-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA005-E3/45

частка акцыі: 156317

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
GBL005-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL005-E3/45

частка акцыі: 138941

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
VS-2KBB100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB100

частка акцыі: 48898

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.9A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.9A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
GBJ25005-F
Diodes Incorporated

GBJ25005-F

частка акцыі: 67228

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
DB153STR
SMC Diode Solutions

DB153STR

частка акцыі: 144200

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні