Дыёды - моставыя выпрамнікі

GBU808TB

GBU808TB

частка акцыі: 194223

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
FTB10F-15FTR

FTB10F-15FTR

частка акцыі: 122407

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
GBU1004HD2G

GBU1004HD2G

частка акцыі: 109

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
DBL151GHC1G

DBL151GHC1G

частка акцыі: 135

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 100V,

Пажаданні
DBLS209GHRDG

DBLS209GHRDG

частка акцыі: 148

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1400V,

Пажаданні
TSS4B04G C2G

TSS4B04G C2G

частка акцыі: 163

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
EABS1D REG

EABS1D REG

частка акцыі: 118

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 200V,

Пажаданні
DBL201G C1G

DBL201G C1G

частка акцыі: 129

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 5V,

Пажаданні
GBPC3510 T0G

GBPC3510 T0G

частка акцыі: 101

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
TSS4B03G C2G

TSS4B03G C2G

частка акцыі: 116

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
DBL206GHC1G

DBL206GHC1G

частка акцыі: 130

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 800V,

Пажаданні
DBLS107GHC1G

DBLS107GHC1G

частка акцыі: 173

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1000V,

Пажаданні
DBL102GHC1G

DBL102GHC1G

частка акцыі: 176

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 100V,

Пажаданні
DBL156G C1G

DBL156G C1G

частка акцыі: 92

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 800V,

Пажаданні
TS50P06G D2G

TS50P06G D2G

частка акцыі: 91

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
TSS4B02GHC2G

TSS4B02GHC2G

частка акцыі: 135

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
DBL107GHC1G

DBL107GHC1G

частка акцыі: 117

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1000V,

Пажаданні
GBU401HD2G

GBU401HD2G

частка акцыі: 119

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
TS15P06GHC2G

TS15P06GHC2G

частка акцыі: 89

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
DBLS203GHRDG

DBLS203GHRDG

частка акцыі: 138

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 200V,

Пажаданні
DBLS106GHRDG

DBLS106GHRDG

частка акцыі: 155

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 800V,

Пажаданні
TS25P05G C2G

TS25P05G C2G

частка акцыі: 158

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
TS4K40 D3G

TS4K40 D3G

частка акцыі: 90

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
DBLS205G C1G

DBLS205G C1G

частка акцыі: 98

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 600V,

Пажаданні
UR8KB60 C2G

UR8KB60 C2G

частка акцыі: 66

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
M50100TB400

M50100TB400

частка акцыі: 950

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100A,

Пажаданні
M5060TB1600

M5060TB1600

частка акцыі: 936

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 50A,

Пажаданні
MP1002G-G

MP1002G-G

частка акцыі: 62680

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
Z4GP206L-HF

Z4GP206L-HF

частка акцыі: 172180

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
GBPC2508W-G

GBPC2508W-G

частка акцыі: 35816

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
DB106-G

DB106-G

частка акцыі: 162246

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
KBPC10005-G

KBPC10005-G

частка акцыі: 41759

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
KBPC1508-G

KBPC1508-G

частка акцыі: 40434

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
Z4DGP408L-HF

Z4DGP408L-HF

частка акцыі: 139495

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
GBL04-E3/45

GBL04-E3/45

частка акцыі: 138924

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
VS-2KBP10

VS-2KBP10

частка акцыі: 57249

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A,

Пажаданні