Дыёды - моставыя выпрамнікі

CBR1-L100M

CBR1-L100M

частка акцыі: 125253

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
TS15P05G C2G

TS15P05G C2G

частка акцыі: 144

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
GBPC40005 T0G

GBPC40005 T0G

частка акцыі: 87

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
D2SB20 D2G

D2SB20 D2G

частка акцыі: 168

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
GBPC50005 T0G

GBPC50005 T0G

частка акцыі: 129

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
DBL203GHC1G

DBL203GHC1G

частка акцыі: 120

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 200V,

Пажаданні
DBLS158G RDG

DBLS158G RDG

частка акцыі: 80

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1200V,

Пажаданні
TS15P07G D2G

TS15P07G D2G

частка акцыі: 161

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
GBLA08HD2G

GBLA08HD2G

частка акцыі: 79

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
TSS4B01G C2G

TSS4B01G C2G

частка акцыі: 102

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
HDBL105G C1G

HDBL105G C1G

частка акцыі: 176

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
UR4KB100-B C2G

UR4KB100-B C2G

частка акцыі: 93

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
TS8P06GHD2G

TS8P06GHD2G

частка акцыі: 126

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
GBU2504 D2

GBU2504 D2

частка акцыі: 116

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
TS50P07G C2G

TS50P07G C2G

частка акцыі: 72

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
SBS24HRGG

SBS24HRGG

частка акцыі: 124

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 40V,

Пажаданні
GBU403 D2G

GBU403 D2G

частка акцыі: 118

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
DBLS154GHRDG

DBLS154GHRDG

частка акцыі: 159

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 400V,

Пажаданні
DBLS204G RDG

DBLS204G RDG

частка акцыі: 174

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 400V,

Пажаданні
EABS1J REG

EABS1J REG

частка акцыі: 109

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 600V,

Пажаданні
TS25P05GHC2G

TS25P05GHC2G

частка акцыі: 162

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
GBL204 D2G

GBL204 D2G

частка акцыі: 116

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
DBLS106G C1G

DBLS106G C1G

частка акцыі: 154

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 800V,

Пажаданні
DBLS156G C1G

DBLS156G C1G

частка акцыі: 105

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 800V,

Пажаданні
TS8P07GHD2G

TS8P07GHD2G

частка акцыі: 122

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
KBU2506-G

KBU2506-G

частка акцыі: 63146

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
GBU401-G

GBU401-G

частка акцыі: 81011

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
GBU2504-G

GBU2504-G

частка акцыі: 47569

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
CDBHM120L-G

CDBHM120L-G

частка акцыі: 179980

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 20V,

Пажаданні
DF201-G

DF201-G

частка акцыі: 187491

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
GBPC1502W-G

GBPC1502W-G

частка акцыі: 36179

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
GHXS020A060S-D1

GHXS020A060S-D1

частка акцыі: 1478

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200µA @ 600V,

Пажаданні
GHXS030A060S-D1

GHXS030A060S-D1

частка акцыі: 1214

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 600V,

Пажаданні
CPC7557N

CPC7557N

частка акцыі: 155181

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.49V @ 250mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 100V,

Пажаданні
CPC7557NTR

CPC7557NTR

частка акцыі: 188136

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.49V @ 250mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 100V,

Пажаданні
GBJ1008-F

GBJ1008-F

частка акцыі: 29339

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні