Дыёды - моставыя выпрамнікі

GBU402GTB

GBU402GTB

частка акцыі: 181228

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
FTB1F-15FTR

FTB1F-15FTR

частка акцыі: 122754

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
GBU602TB

GBU602TB

частка акцыі: 187464

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
KBP204GTB

KBP204GTB

частка акцыі: 177308

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
GBU4005GTB

GBU4005GTB

частка акцыі: 111642

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
FTB4F-15FTR

FTB4F-15FTR

частка акцыі: 197937

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
DB106TB

DB106TB

частка акцыі: 108536

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
GBPC3502TA

GBPC3502TA

частка акцыі: 38242

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
KBP308GTB

KBP308GTB

частка акцыі: 127759

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
KBPC5004T

KBPC5004T

частка акцыі: 27752

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
KBJ2510G

KBJ2510G

частка акцыі: 55561

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
KBPC1508W

KBPC1508W

частка акцыі: 49365

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
KBU6G

KBU6G

частка акцыі: 57

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
KBPC3510T

KBPC3510T

частка акцыі: 43902

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
KBPC5002T

KBPC5002T

частка акцыі: 27785

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
MSD100-16

MSD100-16

частка акцыі: 1744

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 300A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1600V,

Пажаданні
MD200S16M3-BP

MD200S16M3-BP

частка акцыі: 1490

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 300A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 1600V,

Пажаданні
MD100S16M3-BP

MD100S16M3-BP

частка акцыі: 1465

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 300A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1600V,

Пажаданні
TS40P07G C2G

TS40P07G C2G

частка акцыі: 73

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
TS25P04GHD2G

TS25P04GHD2G

частка акцыі: 76

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
GBPC3508W T0G

GBPC3508W T0G

частка акцыі: 133

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
DBLS156GHC1G

DBLS156GHC1G

частка акцыі: 157

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 800V,

Пажаданні
DBLS204G C1G

DBLS204G C1G

частка акцыі: 160

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 400V,

Пажаданні
GBL205HD2G

GBL205HD2G

частка акцыі: 117

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
D2SB40 D2G

D2SB40 D2G

частка акцыі: 147

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
GBPC4004M T0G

GBPC4004M T0G

частка акцыі: 126

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
DBLS201GHC1G

DBLS201GHC1G

частка акцыі: 89

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 50V,

Пажаданні
GHXS045A120S-D1

GHXS045A120S-D1

частка акцыі: 537

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 45A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 45A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1200V,

Пажаданні
GHXS045A120S-D1E

GHXS045A120S-D1E

частка акцыі: 534

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 45A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 45A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1200V,

Пажаданні
GBPC1504-G

GBPC1504-G

частка акцыі: 32632

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
KBPC35005-G

KBPC35005-G

частка акцыі: 32956

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
GBU810-G

GBU810-G

частка акцыі: 70999

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
GBU15005-G

GBU15005-G

частка акцыі: 52580

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
GSIB2040-E3/45

GSIB2040-E3/45

частка акцыі: 58999

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
GBLA005-E3/51

GBLA005-E3/51

частка акцыі: 145875

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
GBLA10-E3/51

GBLA10-E3/51

частка акцыі: 145840

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні