Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - моставыя выпрамнікі

ABF210TR
SMC Diode Solutions

ABF210TR

частка акцыі: 108097

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
ABF28TR
SMC Diode Solutions

ABF28TR

частка акцыі: 102594

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
ABF2UTR
SMC Diode Solutions

ABF2UTR

частка акцыі: 127409

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
ABF4UTR
SMC Diode Solutions

ABF4UTR

частка акцыі: 122073

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
ABS2UTR
SMC Diode Solutions

ABS2UTR

частка акцыі: 138570

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
ABF8UTR
SMC Diode Solutions

ABF8UTR

частка акцыі: 156468

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
ABS6TR
SMC Diode Solutions

ABS6TR

частка акцыі: 103296

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 800mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
ABS6UTR
SMC Diode Solutions

ABS6UTR

частка акцыі: 141974

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
ABF10UTR
SMC Diode Solutions

ABF10UTR

частка акцыі: 174251

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS10UTR
SMC Diode Solutions

ABS10UTR

частка акцыі: 142299

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS15JHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15JHRGG

частка акцыі: 64

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
ABS15MHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15MHRGG

частка акцыі: 72

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS10HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10HRGG

частка акцыі: 142

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS2HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2HRGG

частка акцыі: 77

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
ABS6 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6 RGG

частка акцыі: 117

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
ABS8 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8 RGG

частка акцыі: 54

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
ABS8HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8HRGG

частка акцыі: 96

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
ABS6HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6HRGG

частка акцыі: 89

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
ABS4 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS4 RGG

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
ABS20M RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS20M RGG

частка акцыі: 102

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS15LJ RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15LJ RGG

частка акцыі: 109

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
ABS2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2 RGG

частка акцыі: 87

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
ABS4HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS4HRGG

частка акцыі: 95

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
ABS10 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10 RGG

частка акцыі: 104

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS15J RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15J RGG

частка акцыі: 82

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
ABS15M RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15M RGG

частка акцыі: 148

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS8HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8HREG

частка акцыі: 116

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
ABS10HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10HREG

частка акцыі: 110

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS6HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6HREG

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

Пажаданні
ABS20M REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS20M REG

частка акцыі: 70

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS15LJ REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15LJ REG

частка акцыі: 129

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
ABS2 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2 REG

частка акцыі: 166

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 800mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
ABS15JHREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15JHREG

частка акцыі: 122

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
ABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15MHREG

частка акцыі: 171

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS10A-13
Diodes Incorporated

ABS10A-13

частка акцыі: 143766

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
ABS10-G
Comchip Technology

ABS10-G

частка акцыі: 156702

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні