Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Тырыстары - SCR

T607041864BT
Powerex Inc.

T607041864BT

частка акцыі: 935

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 175A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 275A,

Пажаданні
T607041854BT
Powerex Inc.

T607041854BT

частка акцыі: 965

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 175A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 275A,

Пажаданні
T607081544BT
Powerex Inc.

T607081544BT

частка акцыі: 796

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.1V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 150A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A,

Пажаданні
T600101804BT
Powerex Inc.

T600101804BT

частка акцыі: 773

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.55V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 175A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 275A,

Пажаданні
T607021554BT
Powerex Inc.

T607021554BT

частка акцыі: 1039

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.1V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 150A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A,

Пажаданні
S8008DTP
Littelfuse Inc.

S8008DTP

частка акцыі: 100117

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5.1A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Пажаданні
S6X8ES1AP
Littelfuse Inc.

S6X8ES1AP

частка акцыі: 187831

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 5µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Пажаданні
MCR25DG
Littelfuse Inc.

MCR25DG

частка акцыі: 47921

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 30mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Пажаданні
S6006VS3TP
Littelfuse Inc.

S6006VS3TP

частка акцыі: 124354

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 500µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 3.8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 6A,

Пажаданні
S6010DS3TP
Littelfuse Inc.

S6010DS3TP

частка акцыі: 102394

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 500µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 6.4A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Пажаданні
SJ6016N2RP
Littelfuse Inc.

SJ6016N2RP

частка акцыі: 2719

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 10mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Пажаданні
NYC222STT1G
Littelfuse Inc.

NYC222STT1G

частка акцыі: 128216

Напружанне - выключанае: 50V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1.5A,

Пажаданні
S6008DS3TP
Littelfuse Inc.

S6008DS3TP

частка акцыі: 107624

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 500µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5.1A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Пажаданні
S6010DRP
Littelfuse Inc.

S6010DRP

частка акцыі: 121385

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 6.4A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Пажаданні
VS-30TPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS16LHM3

частка акцыі: 2702

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.3V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 20A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 30A,

Пажаданні
VS-ST730C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L1L

частка акцыі: 586

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Пажаданні
VS-ST180C12C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C12C0L

частка акцыі: 1205

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 660A,

Пажаданні
VS-ST300C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18L1

частка акцыі: 560

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Пажаданні
VS-25RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA100M

частка акцыі: 4609

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A,

Пажаданні
VS-25TTS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16S-M3

частка акцыі: 63639

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Пажаданні
VS-ST330S16M1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1PBF

частка акцыі: 419

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Пажаданні
VS-ST330C08C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08C0

частка акцыі: 927

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Пажаданні
VS-ST083S08PFN2P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN2P

частка акцыі: 948

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Пажаданні
VS-ST650C22L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C22L1

частка акцыі: 523

Напружанне - выключанае: 2.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 790A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1557A,

Пажаданні
VS-ST303C08CFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFK1

частка акцыі: 829

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 620A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1180A,

Пажаданні
VS-ST650C24L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C24L0

частка акцыі: 500

Напружанне - выключанае: 2.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 790A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1557A,

Пажаданні
VS-ST1200C16K3P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K3P

частка акцыі: 239

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Пажаданні
VS-ST110S14P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S14P0PBF

частка акцыі: 1122

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 175A,

Пажаданні
VS-111RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI40PBF

частка акцыі: 2105

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Пажаданні
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C20K1

частка акцыі: 301

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Пажаданні
VS-ST230S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P1VPBF

частка акцыі: 1121

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.55V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 360A,

Пажаданні
VS-ST223C04CFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN0

частка акцыі: 1134

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.58V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 390A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 745A,

Пажаданні
VS-81RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA40

частка акцыі: 2128

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Пажаданні
VS-ST300C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08L0

частка акцыі: 671

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 560A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1115A,

Пажаданні
CS20-14IO1
IXYS

CS20-14IO1

частка акцыі: 16980

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 65mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.1V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 19A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 30A,

Пажаданні
CS45-12IO1
IXYS

CS45-12IO1

частка акцыі: 15526

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.64V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 48A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 75A,

Пажаданні