Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

BC54-10PASX

частка акцыі: 132396

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC51-10PA,115

частка акцыі: 194126

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC69PA,115

частка акцыі: 184470

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC53-16PASX

частка акцыі: 176874

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC52-16PASX

частка акцыі: 108106

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC68-25PA,115

частка акцыі: 177532

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC56-16PASX

частка акцыі: 148056

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC54-16PASX

частка акцыі: 132275

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC69-16PASX

частка акцыі: 136190

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC54-10PA,115

частка акцыі: 199833

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC53-10PA,115

частка акцыі: 125150

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC51-10PASX

частка акцыі: 130634

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC69PASX

частка акцыі: 122431

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC51PASX

частка акцыі: 187761

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC56-10PASX

частка акцыі: 163827

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC68PA,115

частка акцыі: 128484

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC53-10PASX

частка акцыі: 125848

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC52-10PA,115

частка акцыі: 100935

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC68-25PASX

частка акцыі: 113

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BC51-16PA,115

частка акцыі: 108779

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BCX53,146

частка акцыі: 100740

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

BCX51-10F

частка акцыі: 176588

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Пажаданні

ON Semiconductor

BSP52

частка акцыі: 190667

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

BC847CT-TP

частка акцыі: 179186

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

BC857A-TP

частка акцыі: 189897

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

BC847BT-TP

частка акцыі: 116008

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

BC848C-TP

частка акцыі: 159472

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

BC847BW-TP

частка акцыі: 140440

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

BC547A-AP

частка акцыі: 177096

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

BC856A-TP

частка акцыі: 162898

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 65V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

BC327-16-AP

частка акцыі: 105074

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 200nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Пажаданні

Micro Commercial Co

BC547C-AP

частка акцыі: 129371

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

Diodes Incorporated

BCX41QTA

частка акцыі: 182046

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 125V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 75µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 63 @ 100mA, 1V,

Пажаданні

Diodes Incorporated

BSR33QTA

частка акцыі: 141772

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Diodes Incorporated

BC857BLP4-7B

частка акцыі: 156283

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Пажаданні

Central Semiconductor Corp

BC237B

частка акцыі: 175834

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 15nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

Пажаданні