Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

2SD12710P

частка акцыі: 5578

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SD12700P

частка акцыі: 5590

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 130 @ 2A, 2V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SD12680P

частка акцыі: 5591

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SD12670P

частка акцыі: 5659

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 700µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SD1266AP

частка акцыі: 5600

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 300µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SD1263AQ

частка акцыі: 5617

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 750mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 300mA, 10V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SD12660P

частка акцыі: 5593

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 300µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SD0946AR

частка акцыі: 5584

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC4960

частка акцыі: 5607

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 40mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 3 @ 500mA, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC59540Q

частка акцыі: 5595

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC4420

частка акцыі: 5576

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 160mA, 800mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 6 @ 800mA, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC4559

частка акцыі: 5618

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC4004

частка акцыі: 6586

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 40mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 3 @ 500mA, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC3979A

частка акцыі: 5602

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 160mA, 800mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 6 @ 800mA, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC3975

частка акцыі: 5586

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 6A, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC3979

частка акцыі: 5606

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 160mA, 800mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 6 @ 800mA, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC3974

частка акцыі: 5657

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 500V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 4A, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC3506

частка акцыі: 5620

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SC3507

частка акцыі: 5644

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 800V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB12990P

частка акцыі: 5656

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 4V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB1623AP

частка акцыі: 5626

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB11560P

частка акцыі: 5583

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2A, 20A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB10630P

частка акцыі: 5613

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB11540Q

частка акцыі: 5600

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 2V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB10540P

частка акцыі: 5579

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 100V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB0953AQ

частка акцыі: 5636

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 160mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 90 @ 2A, 2V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB0948AP

частка акцыі: 5598

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 330mA, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB09510P

частка акцыі: 5649

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 4000 @ 4A, 3V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB09480P

частка акцыі: 5566

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 330mA, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB09460P

частка акцыі: 6582

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

2SB09440P

частка акцыі: 5591

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 130 @ 1A, 2V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

частка акцыі: 5659

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Пажаданні

Central Semiconductor Corp

2N3702

частка акцыі: 14039

Тып транзістара: PNP, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 50µA, 5V,

Пажаданні

STMicroelectronics

2SB772

частка акцыі: 6632

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Пажаданні

ON Semiconductor

2SC4081RT1G

частка акцыі: 5636

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Пажаданні

ON Semiconductor

2SA1576ART1G

частка акцыі: 5652

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Пажаданні