Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

2SC2655-Y(T6CANOFM

частка акцыі: 6951

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(6MBH1,AF

частка акцыі: 6790

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(HIT,F,M)

частка акцыі: 7001

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(TE6,F,M)

частка акцыі: 7046

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O,F(J

частка акцыі: 7041

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND2,AF)

частка акцыі: 6981

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(T6TOJS,F,M

частка акцыі: 6736

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(FJTN,F,M)

частка акцыі: 6967

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y,T6KEHF(M

частка акцыі: 6957

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 160V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O,T6ALPF(M

частка акцыі: 6977

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 160V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O(T6OMI,FM

частка акцыі: 7010

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 160V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6USNF(M

частка акцыі: 7019

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6KEHF(M

частка акцыі: 6713

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6F(J

частка акцыі: 6953

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,F(J

частка акцыі: 7010

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6ASHF(J

частка акцыі: 6976

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6OMI,FM

частка акцыі: 7020

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6ND,AF

частка акцыі: 7033

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6FJT,FM

частка акцыі: 7003

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6FJT,AF

частка акцыі: 7043

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6CANOFM

частка акцыі: 7009

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6CN,A,F

частка акцыі: 6993

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(MBSH1,FM

частка акцыі: 7012

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(DNSO,AF)

частка акцыі: 7039

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(6MBH1,AF

частка акцыі: 7029

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O,F(J

частка акцыі: 6952

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6FJT,FM

частка акцыі: 6998

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6FJT,AF

частка акцыі: 6772

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6ASN,FM

частка акцыі: 7019

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(FA1,F,M)

частка акцыі: 6974

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235(T6KMAT,F,M

частка акцыі: 6979

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y,F(J

частка акцыі: 6978

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(TE6,F,M)

частка акцыі: 6957

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6SAN2FM

частка акцыі: 7016

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

Sanken

2SC3852A

частка акцыі: 44469

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V,

Пажаданні

Central Semiconductor Corp

2N4013

частка акцыі: 27317

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - адсек калектара (макс.): 1.7µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Пажаданні