Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

2N3792

частка акцыі: 10966

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V,

Пажаданні

2N6055

частка акцыі: 10954

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V,

Пажаданні

2N3584

частка акцыі: 6222

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 5mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V,

Пажаданні

2N5878

частка акцыі: 10960

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Пажаданні

2N6099

частка акцыі: 39413

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V,

Пажаданні

2N697A

частка акцыі: 34738

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Пажаданні

2N3707

частка акцыі: 65426

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

2N2218A

частка акцыі: 32902

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Пажаданні

2N6545

частка акцыі: 11027

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 7 @ 5A, 3V,

Пажаданні

2N4237

частка акцыі: 21319

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 700µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V,

Пажаданні

TT Electronics/Optek Technology

2N3501

частка акцыі: 10287

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Пажаданні

2N2222AUA

частка акцыі: 3801

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V,

Пажаданні

2SA1962OTU

частка акцыі: 24260

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 17A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 5µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Пажаданні

2N6286G

частка акцыі: 15034

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V,

Пажаданні

2N5884G

частка акцыі: 17229

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Ток - адсек калектара (макс.): 2mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

Пажаданні

2N6035G

частка акцыі: 97674

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Пажаданні

2SD1060S-1E

частка акцыі: 88543

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V,

Пажаданні

2SA2039-E

частка акцыі: 107696

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Пажаданні

2N3442G

частка акцыі: 12017

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 200mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V,

Пажаданні

2N5686G

частка акцыі: 5402

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V,

Пажаданні

2N3773G

частка акцыі: 18794

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 10mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V,

Пажаданні

2SD2641

частка акцыі: 34079

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 110V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5000 @ 5A, 4V,

Пажаданні

2SD1796

частка акцыі: 47624

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V,

Пажаданні

2SD2401

частка акцыі: 10598

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V,

Пажаданні

2SD2390

частка акцыі: 24745

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 150V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V,

Пажаданні

2SC2921

частка акцыі: 10974

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 160V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V,

Пажаданні

2SA1695

частка акцыі: 22279

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

Пажаданні

2SA1908

частка акцыі: 22705

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

Пажаданні

2SA1909

частка акцыі: 18480

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

Пажаданні