Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

2N5321

частка акцыі: 78

2N5415S

частка акцыі: 170

2N3636UB

частка акцыі: 4824

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 175V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

2N5154

частка акцыі: 91

2N2221AUA

частка акцыі: 4304

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N3740

частка акцыі: 154

2N1717S

частка акцыі: 121

2N6249T1

частка акцыі: 91

2N6300

частка акцыі: 151

2N6286

частка акцыі: 122

2N6277

частка акцыі: 147

2N2102S

частка акцыі: 122

2N4449

частка акцыі: 4940

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 400nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

2N2814

частка акцыі: 152

2N5428

частка акцыі: 114

2N3635L

частка акцыі: 5555

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

2N697

частка акцыі: 137

2N5416UA

частка акцыі: 161

2N697S

частка акцыі: 168

2N5241

частка акцыі: 140

2N2895

частка акцыі: 77

2N5151L

частка акцыі: 124

2N5238S

частка акцыі: 115

2N3725UB

частка акцыі: 3202

2N5785

частка акцыі: 87

2N5664

частка акцыі: 93

2N3507U4

частка акцыі: 120

2N6352

частка акцыі: 110

2N5683

частка акцыі: 78

2N5582

частка акцыі: 5051

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6648

частка акцыі: 130

2N6353

частка акцыі: 172

2N3743

частка акцыі: 101

2DB1132Q-13

частка акцыі: 119

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 32V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

2SA1162-Y,LF

частка акцыі: 182069

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

2SA1298-Y,LF

частка акцыі: 110660

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,