Модулі драйвера харчавання

STGIPQ3H60T-HZS

частка акцыі: 12699

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase Inverter, Ток: 3A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 1500Vrms, Пакет / чахол: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

STGIPS10K60T

частка акцыі: 8473

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 10A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIPS15C60-H

частка акцыі: 5528

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 15A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIPL35K120L1

частка акцыі: 2640

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 1 Phase, Ток: 35A, Напружанне: 1.2kV, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: 18-PowerDIP Module (1.087", 27.60mm),

STGIPS20C60T-H

частка акцыі: 4369

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 20A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIB15CH60TS-E

частка акцыі: 4812

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase Inverter, Ток: 20A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 1500Vrms, Пакет / чахол: 26-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),

STGIPL14K60

частка акцыі: 5039

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 14A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500VDC, Пакет / чахол: 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),

STIPN2M50T-HL

частка акцыі: 9110

Тып: MOSFET, Канфігурацыя: 3 Phase Inverter, Ток: 2A, Напружанне: 500V, Напружанне - ізаляцыя: 1000Vrms, Пакет / чахол: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),

STGIPS15C60T-H

частка акцыі: 5527

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 15A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

FSBB15CH120D

частка акцыі: 2004

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase Inverter, Ток: 15A, Напружанне: 1.2kV, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50550AB

частка акцыі: 10385

Тып: MOSFET, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 2A, Напружанне: 500V, Напружанне - ізаляцыя: 1500Vrms, Пакет / чахол: 23-PowerDIP Module (0.644", 16.35mm),

STK5MFU3C1A-E

частка акцыі: 3337

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 53A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2000Vrms, Пакет / чахол: 28-PowerSIP Module, 23 Leads, Formed Leads,

FSBB30CH60CS

частка акцыі: 927

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase Inverter, Ток: 30A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: 27-DIP Module,

FSBB15CH60C

частка акцыі: 4732

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 15A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FNB43060T2

частка акцыі: 4176

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 30A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2000Vrms, Пакет / чахол: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FSB50450TB

частка акцыі: 951

Тып: MOSFET, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 1.5A, Напружанне: 500V, Напружанне - ізаляцыя: 1500Vrms, Пакет / чахол: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

FNA41060

частка акцыі: 6393

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 10A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2000Vrms, Пакет / чахол: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FSB70325

частка акцыі: 22220

Тып: MOSFET, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 4.1A, Напружанне: 250V, Напружанне - ізаляцыя: 1500Vrms, Пакет / чахол: 27-PowerLQFN Module,

FNA40860

частка акцыі: 6135

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 8A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2000Vrms, Пакет / чахол: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

PS21767

частка акцыі: 1450

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 30A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500VDC, Пакет / чахол: 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm),

PM25CL1A120

частка акцыі: 549

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 25A, Напружанне: 1.2kV, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: Power Module,

PM25CL1B120

частка акцыі: 961

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 25A, Напружанне: 1.2kV, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: Power Module,

PM150RL1B060

частка акцыі: 354

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 150A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: Power Module,

PM150CL1A060

частка акцыі: 317

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 150A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: Power Module,

PM200CVA060

частка акцыі: 956

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 200A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: Power Module,

PS22056

частка акцыі: 1049

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 25A, Напружанне: 1.2kV, Напружанне - ізаляцыя: 2500VDC, Пакет / чахол: 28-PowerDIP Module (1.882", 47.80mm),

IFCM30T65GDXKMA1

частка акцыі: 4694

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 2 Phase, Ток: 30A, Напружанне: 650V, Напружанне - ізаляцыя: 2000Vrms, Пакет / чахол: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAM136-1561A

частка акцыі: 4652

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 15A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2000Vrms, Пакет / чахол: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IGCM04B60HAXKMA1

частка акцыі: 6380

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 4A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2000Vrms, Пакет / чахол: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IFCM15P60GDXKMA1

частка акцыі: 5161

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase Inverter, Ток: 30A, Напружанне: 650V, Напружанне - ізаляцыя: 2000Vrms, Пакет / чахол: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAMX30TP60A

частка акцыі: 3425

Тып: IGBT, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 30A, Напружанне: 600V, Напружанне - ізаляцыя: 2000Vrms, Пакет / чахол: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

GCMS010A120S7B1

частка акцыі: 220

Тып: MOSFET, Канфігурацыя: Half Bridge, Ток: 240A, Напружанне: 1.2kV, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: Power Module,

GCMS040A120B3C1

частка акцыі: 218

Тып: MOSFET, Канфігурацыя: 3 Phase, Ток: 80A, Напружанне: 1.2kV, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: Power Module,

GHIS100A120S2B1

частка акцыі: 528

Тып: IGBT, Канфігурацыя: Half Bridge, Ток: 200A, Напружанне: 1.2kV, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: Power Module,

GCMS007A120S7B1

частка акцыі: 184

Тып: MOSFET, Канфігурацыя: Half Bridge, Ток: 360A, Напружанне: 1.2kV, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пакет / чахол: Power Module,

IXA40PF1200TDHGLB-TRR

частка акцыі: 3475