Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

2A01-TP
Micro Commercial Co

2A01-TP

частка акцыі: 9446

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40V, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
301UR80
Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

частка акцыі: 1468

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 330A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.22V @ 942A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
31GF6-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

частка акцыі: 107592

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Пажаданні
31GF4-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

частка акцыі: 111138

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Пажаданні
31GF4-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

частка акцыі: 170598

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Пажаданні
31GF6-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

частка акцыі: 162083

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Пажаданні
31GF4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

частка акцыі: 119879

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Пажаданні
31GF6-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

частка акцыі: 151354

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Пажаданні
31GF4-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

частка акцыі: 146657

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Пажаданні
30BQ015TR
SMC Diode Solutions

30BQ015TR

частка акцыі: 104520

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 350mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
30WQ20FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ20FNTR

частка акцыі: 180665

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 890mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
30WQ03FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ03FNTR

частка акцыі: 186601

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
30BQ150TR
SMC Diode Solutions

30BQ150TR

частка акцыі: 132078

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 860mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
30BQ200TR
SMC Diode Solutions

30BQ200TR

частка акцыі: 126042

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
30WQ15FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ15FNTR

частка акцыі: 184192

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 830mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
30WQ04FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ04FNTR

частка акцыі: 198114

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
3A60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 B0G

частка акцыі: 132

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
3A60HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HA0G

частка акцыі: 122

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
31DF4 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 B0G

частка акцыі: 176

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Пажаданні
31DF4 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 A0G

частка акцыі: 130

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Пажаданні
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 A0G

частка акцыі: 149

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
31DF6 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 A0G

частка акцыі: 162

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Пажаданні
31DF6 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 B0G

частка акцыі: 172

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Пажаданні
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 A0G

частка акцыі: 94

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 B0G

частка акцыі: 100

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
3A100HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HA0G

частка акцыі: 156

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
3A100HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HB0G

частка акцыі: 186

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
3A60HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HB0G

частка акцыі: 147

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
3A100HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HR0G

частка акцыі: 206

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
31DF6 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 R0G

частка акцыі: 158

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Пажаданні
3A60 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 R0G

частка акцыі: 173

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
3A60HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HR0G

частка акцыі: 139

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
3A100 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 R0G

частка акцыі: 198

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
31DF4 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 R0G

частка акцыі: 195

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Пажаданні
3SM8
Semtech Corporation

3SM8

частка акцыі: 3384

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Пажаданні
3SM0
Semtech Corporation

3SM0

частка акцыі: 3037

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Пажаданні