Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

частка акцыі: 171

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

частка акцыі: 82

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

частка акцыі: 173

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

частка акцыі: 98

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

частка акцыі: 157

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

частка акцыі: 94

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

частка акцыі: 76

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 310ns,

Пажаданні
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

частка акцыі: 99

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 310ns,

Пажаданні
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

частка акцыі: 161

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 310ns,

Пажаданні
10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 310ns,

Пажаданні
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

частка акцыі: 5088

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Пажаданні
10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

частка акцыі: 145

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Пажаданні
10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

частка акцыі: 152

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Пажаданні
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

частка акцыі: 153

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Пажаданні
10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

частка акцыі: 112

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Пажаданні
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

частка акцыі: 160

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

частка акцыі: 71

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 760mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

частка акцыі: 130

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 760mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

частка акцыі: 112

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

частка акцыі: 135

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

частка акцыі: 74

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 510mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

частка акцыі: 104

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 660mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

частка акцыі: 95

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 660mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

частка акцыі: 137

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 660mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

частка акцыі: 156

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

частка акцыі: 137

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

частка акцыі: 5037

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

частка акцыі: 91

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 910mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

частка акцыі: 5020

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 910mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

частка акцыі: 69

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

частка акцыі: 130

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

частка акцыі: 5051

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

частка акцыі: 135

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

частка акцыі: 74

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

частка акцыі: 120

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
1N6631US
Microsemi Corporation

1N6631US

частка акцыі: 4317

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 60ns,

Пажаданні