Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

1N8032-GA

частка акцыі: 411

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 2.5A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N3765

частка акцыі: 9603

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 700V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N2130A

частка акцыі: 13757

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N3213R

частка акцыі: 9594

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 500V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N5834R

частка акцыі: 5649

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 590mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N3297A

частка акцыі: 3391

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N3768

частка акцыі: 9899

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N3211R

частка акцыі: 13605

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N1188AR

частка акцыі: 14724

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N1186R

частка акцыі: 14976

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N3293A

частка акцыі: 3421

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N1187R

частка акцыі: 11210

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N3766

частка акцыі: 9596

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N2133AR

частка акцыі: 9580

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N3671AR

частка акцыі: 14489

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N5832

частка акцыі: 5575

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N3208R

частка акцыі: 15260

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

150K100A

частка акцыі: 3461

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N1183R

частка акцыі: 15035

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N1202AR

частка акцыі: 15978

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N2133A

частка акцыі: 9591

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N5828

частка акцыі: 5643

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N4595

частка акцыі: 3450

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N4592R

частка акцыі: 3417

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

GeneSiC Semiconductor

1N1190R

частка акцыі: 16753

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

1N5552US

частка акцыі: 5469

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 9A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Пажаданні

Microsemi Corporation

1N4148UR-1E3

частка акцыі: 134

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 20ns,

Пажаданні

SMC Diode Solutions

1N4001TA

частка акцыі: 177323

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

SMC Diode Solutions

120NQ035R-1

частка акцыі: 2701

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

SMC Diode Solutions

12TQ040STR

частка акцыі: 130104

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

SMC Diode Solutions

1N5406TA

частка акцыі: 138561

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

SMC Diode Solutions

12TQ100STR

частка акцыі: 107331

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

SMC Diode Solutions

1F7TA

частка акцыі: 135435

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Пажаданні

SMC Diode Solutions

129SPC135A

частка акцыі: 9447

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 135V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 870mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

SMC Diode Solutions

123NQ080-1

частка акцыі: 2753

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 910mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

1N4531,143

частка акцыі: 172728

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Пажаданні