Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1PMT4134/TR7

частка акцыі: 106398

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 91V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 69.16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1PMT4135/TR7

частка акцыі: 106415

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 76V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1PMT5929BE3/TR7

частка акцыі: 134137

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5949C/TR13

частка акцыі: 40496

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 76V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5953E3/TR13

частка акцыі: 146716

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 150V, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 600 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 114V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5945B/TR7

частка акцыі: 47073

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 120 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 51.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5955AE3/TR7

частка акцыі: 134159

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 180V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 800 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 136.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5939AE3/TR13

частка акцыі: 146730

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5926C/TR7

частка акцыі: 37736

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5944C/TR7

частка акцыі: 37741

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 47.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5941B/TR7

частка акцыі: 47118

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 67 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 35.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5929C/TR13

частка акцыі: 40533

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT4107C/TR7

частка акцыі: 82190

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 9.87V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1PMT5927CE3/TR7

частка акцыі: 134186

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5951CE3/TR7

частка акцыі: 134196

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 120V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 380 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 91.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5942/TR7

частка акцыі: 47092

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT4113/TR13

частка акцыі: 114944

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14.44V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1PMT5954AE3/TR7

частка акцыі: 134163

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 700 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 121.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5930/TR13

частка акцыі: 50521

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5940CE3/TR13

частка акцыі: 146788

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 53 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 32.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT5947C/TR7

частка акцыі: 37791

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 82V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 160 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 62.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PMT4125E3/TR7

частка акцыі: 167346

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 35.75V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5942C

частка акцыі: 149

1N5919C

частка акцыі: 181

1N5950C

частка акцыі: 210

1N5931C

частка акцыі: 141

1N5937C

частка акцыі: 205

1N5944B

частка акцыі: 237

1N5956C

частка акцыі: 173

1N4570AUR-1

частка акцыі: 190

1PGSMA4744 M2G

частка акцыі: 209

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PGSMA130ZHM2G

частка акцыі: 136

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 130V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 700 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 98.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PGSMA4752 M2G

частка акцыі: 234

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 25.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PGSMA130ZHR3G

частка акцыі: 204

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 130V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 700 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 98.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4731A-TR

частка акцыі: 164472

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4736A-TAP

частка акцыі: 199421

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,