Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1N5265B

1N5265B

частка акцыі: 151701

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 185 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 45V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5248BTA

1N5248BTA

частка акцыі: 146971

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 21 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 13.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA4749TR

1SMA4749TR

частка акцыі: 182853

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5264

1N5264

частка акцыі: 134599

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 60V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 46V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5254TA

1N5254TA

частка акцыі: 135661

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 41 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5263

1N5263

частка акцыі: 108020

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 43V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5262BTA

1N5262BTA

частка акцыі: 119402

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 37V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5264B

1N5264B

частка акцыі: 191739

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 60V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 44V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5225TA

1N5225TA

частка акцыі: 104851

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 29 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 950mV, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5238BTA

1N5238BTA

частка акцыі: 134374

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5255TA

1N5255TA

частка акцыі: 184659

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 28V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 44 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA4757TR

1SMA4757TR

частка акцыі: 109005

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5260BTA

1N5260BTA

частка акцыі: 191008

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 93 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 31V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N4731ATA

1N4731ATA

частка акцыі: 159087

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA4755-GT3TR

1SMA4755-GT3TR

частка акцыі: 140508

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 32.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5244BTA

1N5244BTA

частка акцыі: 100652

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA4755TR

1SMA4755TR

частка акцыі: 133295

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 32.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA4746-GT3TR

1SMA4746-GT3TR

частка акцыі: 197324

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N4730ATA

1N4730ATA

частка акцыі: 128821

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA4754-GT3TR

1SMA4754-GT3TR

частка акцыі: 184554

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5259BTA

1N5259BTA

частка акцыі: 108018

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 29V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA4757-GT3TR

1SMA4757-GT3TR

частка акцыі: 180429

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5266B

1N5266B

частка акцыі: 151936

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 230 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 49V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N4731A,113

1N4731A,113

частка акцыі: 168624

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N4746A,133

1N4746A,133

частка акцыі: 174914

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N4749A,113

1N4749A,113

частка акцыі: 159563

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N4739A,113

1N4739A,113

частка акцыі: 112351

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA5935BT3G

1SMA5935BT3G

частка акцыі: 179463

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 20.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA5940BT3G

1SMA5940BT3G

частка акцыі: 182260

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 53 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 32.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1N6312

1N6312

частка акцыі: 8904

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 27 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1A,

Пажаданні
1N6348US

1N6348US

частка акцыі: 142

Пажаданні
1SMA110ZHM2G

1SMA110ZHM2G

частка акцыі: 123

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 110V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 83.6V,

Пажаданні
1SMB5948HM4G

1SMB5948HM4G

частка акцыі: 62

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 91V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 69.2V,

Пажаданні
1SMA5955HM2G

1SMA5955HM2G

частка акцыі: 66

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 180V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 900 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 136.8V,

Пажаданні
1SMA5938 M2G

1SMA5938 M2G

частка акцыі: 68

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 38 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 27.4V,

Пажаданні
1SMA4760 R3G

1SMA4760 R3G

частка акцыі: 96

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 51.7V,

Пажаданні