Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1N5933BP-TP

1N5933BP-TP

частка акцыі: 111

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 16.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1N5248B-TP

1N5248B-TP

частка акцыі: 176415

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 21 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N4743A-TP

1N4743A-TP

частка акцыі: 104804

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5232B-TP

1N5232B-TP

частка акцыі: 126933

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 11 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5365B-TP

1N5365B-TP

частка акцыі: 143972

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 11 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 27.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N4698-TP

1N4698-TP

частка акцыі: 173161

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Пажаданні
1N4736A-TP

1N4736A-TP

частка акцыі: 151332

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5229B-TP

1N5229B-TP

частка акцыі: 142046

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5249B-TP

1N5249B-TP

частка акцыі: 166382

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5264B-TP

1N5264B-TP

частка акцыі: 100227

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 60V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 46V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N4744A-TP

1N4744A-TP

частка акцыі: 167757

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5237B-TP

1N5237B-TP

частка акцыі: 113152

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5250B-TP

1N5250B-TP

частка акцыі: 132684

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5230B-TP

1N5230B-TP

частка акцыі: 164297

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5252B-TP

1N5252B-TP

частка акцыі: 188220

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N4739A-TP

1N4739A-TP

частка акцыі: 183161

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5349B-TP

1N5349B-TP

частка акцыі: 165944

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N4732A-TP

1N4732A-TP

частка акцыі: 170601

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5266B-TP

1N5266B-TP

частка акцыі: 124113

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 230 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 52V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5367B-TP

1N5367B-TP

частка акцыі: 136659

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 32.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5998B-TP

1N5998B-TP

частка акцыі: 160756

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Пажаданні
1N5238B-TP

1N5238B-TP

частка акцыі: 161185

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N4728A-TP

1N4728A-TP

частка акцыі: 155141

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N4757A-TP

1N4757A-TP

частка акцыі: 157381

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5263B-TP

1N5263B-TP

частка акцыі: 137870

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 43V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5931BP-TP

1N5931BP-TP

частка акцыі: 153258

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 12 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1N5364B-TP

1N5364B-TP

частка акцыі: 154014

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 25.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5235B-TP

1N5235B-TP

частка акцыі: 135968

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5251B-TP

1N5251B-TP

частка акцыі: 144606

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 29 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 17V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5241C-TP

1N5241C-TP

частка акцыі: 121595

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5359B-TP

1N5359B-TP

частка акцыі: 103268

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5258B-TP

1N5258B-TP

частка акцыі: 197833

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5353B-TP

1N5353B-TP

частка акцыі: 152678

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N4731A-TP

1N4731A-TP

частка акцыі: 139538

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1N5359BRLG

1N5359BRLG

частка акцыі: 168875

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N757AUR-1

1N757AUR-1

частка акцыі: 118

Пажаданні