Дыёды - зменная ёмістасць (варыкапы, варактары)

ZC831BNTA

частка акцыі: 4782

Ёмістасць @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 25V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,

ZC833BNTA

частка акцыі: 7442

Ёмістасць @ Vr, F: 34.65pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 25V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

FMMV2109TA

частка акцыі: 7402

Ёмістасць @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.3, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 280 @ 4V, 50MHz,

ZMV831ATA

частка акцыі: 7482

Ёмістасць @ Vr, F: 16.5pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 25V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,

ZMV830ATA

частка акцыі: 7393

Ёмістасць @ Vr, F: 11pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 25V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,

ZMV832ATA

частка акцыі: 7478

Ёмістасць @ Vr, F: 24.2pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 25V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

FMMV3102TA

частка акцыі: 7435

Ёмістасць @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 4.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C25, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,

ZMV934TC

частка акцыі: 7431

Ёмістасць @ Vr, F: 25pF @ 4V, 50MHz, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 12V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 80 @ 4V, 50MHz,

ZMV934ATC

частка акцыі: 7505

Ёмістасць @ Vr, F: 25pF @ 4V, 50MHz, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 12V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 80 @ 4V, 50MHz,

ZC932TA

частка акцыі: 7460

Ёмістасць @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 50MHz, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 12V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

ZC933ATA

частка акцыі: 7498

Ёмістасць @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 12V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz,

ZMV830BTC

частка акцыі: 7420

Ёмістасць @ Vr, F: 10.5pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 25V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,

ZC834ATA

частка акцыі: 7461

Ёмістасць @ Vr, F: 51.7pF @ 2V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 6.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 25V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

SMV1408-040LF

частка акцыі: 152223

Ёмістасць @ Vr, F: 2.11pF @ 4V, 50MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 4.1, Умова каэфіцыента ёмістасці: C0/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 2900 @ 4V, 50MHz,

SMV1263-079LF

частка акцыі: 192391

Ёмістасць @ Vr, F: 2.9pF @ 2.5V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C0.5/C2.5, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: Single,

SMV1255-079LF

частка акцыі: 175742

Ёмістасць @ Vr, F: 5.8pF @ 4.7V, 50MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 12.3, Умова каэфіцыента ёмістасці: C0.3/C4.7, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 15V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,

SMV1494-079LF

частка акцыі: 189019

Напружанне - пік, зваротны (макс.): 15V, Дыёдны тып: Single,

SMV1275-079LF

частка акцыі: 186021

Ёмістасць @ Vr, F: 1.81pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 1.8, Умова каэфіцыента ёмістасці: C1/C4, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 10V, Дыёдны тып: Single,

SMV1206-079LF

частка акцыі: 158688

Ёмістасць @ Vr, F: 2.6pF @ 20V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 4.45, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 22V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 3V, 50MHz,

SMV2019-079LF

частка акцыі: 128064

Ёмістасць @ Vr, F: 0.34pF @ 20V, 50MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.3, Умова каэфіцыента ёмістасці: C4/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 22V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,

SMV1263-074LF

частка акцыі: 152519

Ёмістасць @ Vr, F: 2.9pF @ 2.5V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C0.5/C2.5, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode,

SMV1255-011LF

частка акцыі: 182378

Ёмістасць @ Vr, F: 5.8pF @ 4.7V, 50MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 12.3, Умова каэфіцыента ёмістасці: C0.3/C4.7, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 15V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,

SMV1248-079LF

частка акцыі: 71182

Ёмістасць @ Vr, F: 1.7pF @ 4.7V, 50MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 12, Умова каэфіцыента ёмістасці: C0.3/C4.7, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 15V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 700 @ 3V, 50MHz,

SMV1232-079LF

частка акцыі: 182565

Ёмістасць @ Vr, F: 0.94pF @ 6V, 50MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.3, Умова каэфіцыента ёмістасці: C1/C6, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 15V, Дыёдны тып: Single,

SMV1213-079LF

частка акцыі: 187619

Ёмістасць @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 50MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C1/C4, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 12V, Дыёдны тып: Single,

SMV1147-011LF

частка акцыі: 7521

Каэфіцыент ёмістасці: 3, Умова каэфіцыента ёмістасці: C1/C6, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 12V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 150 @ 3V, 50MHz,

MMVL409T1G

частка акцыі: 7460

Ёмістасць @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 1.9, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

MMBV609LT1G

частка акцыі: 7414

Ёмістасць @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.4, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C8, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,

SVC710-TL-E

частка акцыі: 182167

Ёмістасць @ Vr, F: 4.8pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 4.8, Умова каэфіцыента ёмістасці: C1/C4, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 15V, Дыёдны тып: Single,

MV104RLRAG

частка акцыі: 7535

Ёмістасць @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.8, Умова каэфіцыента ёмістасці: C3/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 32V, Дыёдны тып: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,

MV2101G

частка акцыі: 7467

Ёмістасць @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.2, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C30, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

SVC203C-AA-TB-E

частка акцыі: 163190

MA2C8400BF

частка акцыі: 7432

Ёмістасць @ Vr, F: 5.7pF @ 10V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 3.4, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C10, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 32V, Дыёдны тып: Single,

MA27V0200L

частка акцыі: 117031

Ёмістасць @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 2.6, Умова каэфіцыента ёмістасці: C1/C4, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 6V, Дыёдны тып: Single,

MA2S37400L

частка акцыі: 7445

Ёмістасць @ Vr, F: 3.03pF @ 25V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 15, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C25, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 34V, Дыёдны тып: Single,

MA27V0900L

частка акцыі: 178280

Ёмістасць @ Vr, F: 9.2pF @ 3V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 1.87, Умова каэфіцыента ёмістасці: C1/C3, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 6V, Дыёдны тып: Single,