Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне

NSBC143ZDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1G

частка акцыі: 189558

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні
UMC2NT1G
ON Semiconductor

UMC2NT1G

частка акцыі: 1438

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Пажаданні
EMD4DXV6T5G
ON Semiconductor

EMD4DXV6T5G

частка акцыі: 147880

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні
NSBA124EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA124EDP6T5G

частка акцыі: 21627

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Пажаданні
DMC566030R
Panasonic Electronic Components

DMC566030R

частка акцыі: 104386

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні
XP0111F00L
Panasonic Electronic Components

XP0111F00L

частка акцыі: 3235

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Пажаданні
XP0411300L
Panasonic Electronic Components

XP0411300L

частка акцыі: 1405

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні
DCX123JK-7-F
Diodes Incorporated

DCX123JK-7-F

частка акцыі: 127975

Тып транзістара: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні
DDC143TU-7
Diodes Incorporated

DDC143TU-7

частка акцыі: 1466

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні
IMB11AT110
Rohm Semiconductor

IMB11AT110

частка акцыі: 145889

Тып транзістара: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Пажаданні
UMH3NTN
Rohm Semiconductor

UMH3NTN

частка акцыі: 152629

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні