Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72V05L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V05L25J

частка акцыі: 5228

Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,

Пажаданні
72V05L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V05L15J

частка акцыі: 4391

Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,

Пажаданні
72V815L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V815L10PFG

частка акцыі: 2382

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V04L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V04L25JI8

частка акцыі: 7453

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V04L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V04L35J

частка акцыі: 7515

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V04L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V04L25JI

частка акцыі: 6174

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V04L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V04L25J8

частка акцыі: 8167

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V04L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V04L15J

частка акцыі: 5694

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V03L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V03L35J

частка акцыі: 8665

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V03L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V03L25JI

частка акцыі: 7703

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V03L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V03L25JI8

частка акцыі: 9440

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V03L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V03L15J

частка акцыі: 7199

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V03L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V03L15J8

частка акцыі: 8760

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72841L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72841L10PFG

частка акцыі: 2385

Памер памяці: 72K (4K x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V03L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V03L25J8

частка акцыі: 9935

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V02L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V02L35J

частка акцыі: 11484

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V02L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V02L35J8

частка акцыі: 14098

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V02L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V02L25JI

частка акцыі: 9731

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V02L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V02L25J8

частка акцыі: 12955

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V02L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V02L25JI8

частка акцыі: 11931

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V02L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V02L15J8

частка акцыі: 10884

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V02L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V02L25J

частка акцыі: 10485

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V01L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V01L35J8

частка акцыі: 14826

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V01L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V01L35J

частка акцыі: 12223

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V02L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V02L15J

частка акцыі: 8820

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V01L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V01L25JI

частка акцыі: 11314

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V01L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V01L25JI8

частка акцыі: 13918

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V01L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V01L25J

частка акцыі: 12210

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V01L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V01L25J8

частка акцыі: 14890

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V01L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V01L15J8

частка акцыі: 12792

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V01L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V01L15J

частка акцыі: 10459

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72T3695L5BBI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T3695L5BBI

частка акцыі: 8658

Памер памяці: 1.125M (32K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 70mA,

Пажаданні
72T3695L5BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T3695L5BB

частка акцыі: 8621

Памер памяці: 1.125M (32K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, 200MHz, Час доступу: 10ns, 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 70mA,

Пажаданні
72T3695L6-7BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T3695L6-7BB

частка акцыі: 8588

Памер памяці: 1.125M (32K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66MHz, 150MHz, Час доступу: 12ns, 3.8ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 70mA,

Пажаданні
72T3685L6-7BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T3685L6-7BB

частка акцыі: 8372

Памер памяці: 576K (16K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66MHz, 150MHz, Час доступу: 12ns, 3.8ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 70mA,

Пажаданні
72T3695L4-4BB
IDT, Integrated Device Technology Inc

72T3695L4-4BB

частка акцыі: 8576

Памер памяці: 1.125M (32K x 36), Функцыя: Asynchronous, Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, 225MHz, Час доступу: 8ns, 3.4ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 70mA,

Пажаданні