Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72V2111L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L20PF

частка акцыі: 804

Памер памяці: 4.5M (512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2111L15PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L15PFI8

частка акцыі: 945

Памер памяці: 4.5M (512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2111L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L20PF8

частка акцыі: 994

Памер памяці: 4.5M (512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2111L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L15PF8

частка акцыі: 987

Памер памяці: 4.5M (512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2111L15PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L15PFI

частка акцыі: 729

Памер памяці: 4.5M (512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2111L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L10PF8

частка акцыі: 866

Памер памяці: 4.5M (512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2111L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L10PF

частка акцыі: 730

Памер памяці: 4.5M (512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2111L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2111L15PF

частка акцыі: 740

Памер памяці: 4.5M (512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2105L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2105L20PF

частка акцыі: 750

Памер памяці: 4.5M (256K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V2105L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2105L20PF8

частка акцыі: 952

Памер памяці: 4.5M (256K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V2105L15PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2105L15PFI

частка акцыі: 748

Памер памяці: 4.5M (256K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V2105L15PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2105L15PFI8

частка акцыі: 927

Памер памяці: 4.5M (256K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V2105L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2105L15PF

частка акцыі: 776

Памер памяці: 4.5M (256K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V2105L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2105L10PF

частка акцыі: 719

Памер памяці: 4.5M (256K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V2103L7-5PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L7-5PF

частка акцыі: 941

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2103L7-5PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L7-5PF8

частка акцыі: 1177

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2103L6PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L6PF

частка акцыі: 928

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2103L6PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L6PF8

частка акцыі: 1105

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2103L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L15PF

частка акцыі: 1113

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2103L10PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L10PFI8

частка акцыі: 1173

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2103L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L15PF8

частка акцыі: 1300

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2103L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L10PF

частка акцыі: 1005

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2103L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2103L10PF8

частка акцыі: 1220

Памер памяці: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2101L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2101L20PF

частка акцыі: 1067

Памер памяці: 2.25M (256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2101L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2101L20PF8

частка акцыі: 1290

Памер памяці: 2.25M (256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2101L15PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2101L15PFI

частка акцыі: 997

Памер памяці: 2.25M (256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2101L15PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2101L15PFI8

частка акцыі: 1199

Памер памяці: 2.25M (256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2101L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2101L15PF8

частка акцыі: 1275

Памер памяці: 2.25M (256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2101L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2101L15PF

частка акцыі: 1063

Памер памяці: 2.25M (256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V2101L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2101L10PF8

частка акцыі: 1218

Памер памяці: 2.25M (256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V205L20TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L20TF8

частка акцыі: 8974

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V2101L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2101L10PF

частка акцыі: 1000

Памер памяці: 2.25M (256K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V205L20TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L20TF

частка акцыі: 7145

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V205L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L20PF8

частка акцыі: 8751

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V205L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L20PF

частка акцыі: 7201

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V205L15TFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L15TFI8

частка акцыі: 7005

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні