Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72V231L10J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V231L10J8

частка акцыі: 5311

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V231L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V231L10PF

частка акцыі: 4821

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V231L10J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V231L10J

частка акцыі: 4069

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V225L20TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L20TF8

частка акцыі: 7053

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L20TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L20TF

частка акцыі: 5468

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L20PF

частка акцыі: 5460

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L20PF8

частка акцыі: 6723

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L15TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L15TF8

частка акцыі: 6179

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L15PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L15PFI8

частка акцыі: 5335

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L15TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L15TF

частка акцыі: 4736

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L15PF8

частка акцыі: 5930

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L15PF

частка акцыі: 4801

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L15PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L15PFI

частка акцыі: 4191

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L10TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L10TF

частка акцыі: 4192

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L10TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L10TF8

частка акцыі: 5318

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V225L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L10PF

частка акцыі: 4229

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V223L7-5PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V223L7-5PFI

частка акцыі: 3339

Памер памяці: 9K (512 x 18)(1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V223L7-5PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V223L7-5PF8

частка акцыі: 4458

Памер памяці: 9K (512 x 18)(1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V223L7-5PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V223L7-5PF

частка акцыі: 3428

Памер памяці: 9K (512 x 18)(1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V223L6PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V223L6PF8

частка акцыі: 4234

Памер памяці: 9K (512 x 18)(1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V221L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L20PF8

частка акцыі: 8111

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V223L6PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V223L6PF

частка акцыі: 3286

Памер памяці: 9K (512 x 18)(1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V221L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L20J

частка акцыі: 6293

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L20PF

частка акцыі: 7116

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L20J8

частка акцыі: 7569

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L15PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L15PFI

частка акцыі: 5410

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L15PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L15PFI8

частка акцыі: 6145

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L15JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L15JI8

частка акцыі: 5896

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L15PF8

частка акцыі: 7151

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L15PF

частка акцыі: 6310

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L15J8

частка акцыі: 6788

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L15JI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L15JI

частка акцыі: 4706

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L10PF8

частка акцыі: 6166

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L10PF

частка акцыі: 5385

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L10J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L10J8

частка акцыі: 5868

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L10J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L10J

частка акцыі: 4732

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні