Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72V215L20TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L20TF8

частка акцыі: 7787

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L20TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L20TF

частка акцыі: 6276

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L20PF8

частка акцыі: 7593

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L20PF

частка акцыі: 6234

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L15TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L15TF

частка акцыі: 5472

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L15TFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L15TFI

частка акцыі: 4718

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L15TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L15TF8

частка акцыі: 7073

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L15PF8

частка акцыі: 6794

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L15PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L15PFI

частка акцыі: 4782

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L15PF

частка акцыі: 5484

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L10TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L10TF8

частка акцыі: 6075

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L10PF8

частка акцыі: 5856

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V215L10TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L10TF

частка акцыі: 4735

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V211L20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L20PF8

частка акцыі: 9310

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L20PF

частка акцыі: 8159

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L20J

частка акцыі: 7206

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15PF

частка акцыі: 7131

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15PF8

частка акцыі: 8087

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15J8

частка акцыі: 7592

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L15JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15JI8

частка акцыі: 6775

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15J

частка акцыі: 6205

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L10PF8

частка акцыі: 7082

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L10PF

частка акцыі: 6179

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L10J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L10J

частка акцыі: 5457

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V2113L7-5PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L7-5PF8

частка акцыі: 849

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2113L7-5PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L7-5PF

частка акцыі: 745

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2113L6PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L6PF

частка акцыі: 696

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2113L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L15PF8

частка акцыі: 987

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2113L6PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L6PF8

частка акцыі: 805

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2113L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L15PF

частка акцыі: 748

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V3650L6PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3650L6PFG8

частка акцыі: 2354

Памер памяці: 72K (2K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V3650L6BB8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3650L6BB8

частка акцыі: 2416

Памер памяці: 72K (2K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,

Пажаданні
72V2113L10PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L10PFI

частка акцыі: 591

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2113L10PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L10PFI8

частка акцыі: 862

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2113L10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L10PF8

частка акцыі: 869

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V2113L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V2113L10PF

частка акцыі: 706

Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні