Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, папяр

DDTC143XE-7

частка акцыі: 197990

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

DDTA123TKA-7-F

частка акцыі: 1915

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

DDTA144TKA-7-F

частка акцыі: 1944

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

DDTD123YU-7-F

частка акцыі: 159098

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Пажаданні

DDTA123ECA-7-F

частка акцыі: 167434

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Пажаданні

DDTC124GKA-7-F

частка акцыі: 1901

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

DDTD142JU-7-F

частка акцыі: 100187

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 470 Ohms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Пажаданні

DDTC142JE-7-F

частка акцыі: 125307

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 470 Ohms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

DDTC143XKA-7-F

частка акцыі: 1911

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

SMUN2230T1G

частка акцыі: 178747

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 1 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

FJV3115RMTF

частка акцыі: 170458

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

NSBC143EF3T5G

частка акцыі: 150999

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

NSBC114TF3T5G

частка акцыі: 143954

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

PDTC123ES,126

частка акцыі: 1997

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Пажаданні

PDTB113ES,126

частка акцыі: 1965

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 1 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Пажаданні

PDTC124ES,126

частка акцыі: 1970

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

PDTA114TE,115

частка акцыі: 1980

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

DTC143XCAHZGT116

частка акцыі: 16286

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

DTC015EEBTL

частка акцыі: 107532

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

DTB114GKT146

частка акцыі: 168234

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Пажаданні

DTC143XUAT106

частка акцыі: 114463

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

DTA143ZKAT146

частка акцыі: 123299

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

DTC144VKAT146

частка акцыі: 164888

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Пажаданні

UNR321000L

частка акцыі: 108084

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

UNR511600L

частка акцыі: 122493

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

UNR9219G0L

частка акцыі: 136285

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 1 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

UNR911BG0L

частка акцыі: 2166

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 100 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

UNR92A8G0L

частка акцыі: 1977

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 510 Ohms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 5.1 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

UNR9112G0L

частка акцыі: 1944

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

UNR511VG0L

частка акцыі: 1962

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 2.2 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

UNR9110G0L

частка акцыі: 141689

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 47 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Пажаданні

RN2315TE85LF

частка акцыі: 100188

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 2.2 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 10 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Пажаданні

RN1112ACT(TPL3)

частка акцыі: 1954

Тып транзістара: NPN - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 22 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Пажаданні

RN2101ACT(TPL3)

частка акцыі: 1987

Тып транзістара: PNP - Pre-Biased, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Рэзістар - база (R1): 4.7 kOhms, Рэзістар - база выпраменьвальніка (R2): 4.7 kOhms, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Пажаданні