Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

GP1003HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1003HC0G

частка акцыі: 120

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR20150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PT C0G

частка акцыі: 90

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRS1050 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1050 MNG

частка акцыі: 154

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR16100HC0G

частка акцыі: 80

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
HER1604PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1604PT C0G

частка акцыі: 84

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR2060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060CTHC0G

частка акцыі: 128

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR1090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1090CTHC0G

частка акцыі: 129

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRS1090 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1090 MNG

частка акцыі: 134

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1690HC0G

частка акцыі: 156

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRS4060CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS4060CTHMNG

частка акцыі: 117

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MUR1660CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1660CTHC0G

частка акцыі: 137

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR4050PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR4050PT C0G

частка акцыі: 133

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR3090PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3090PT C0G

частка акцыі: 167

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1650HC0G

частка акцыі: 164

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBR40200PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40200PTHC0G

частка акцыі: 146

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.01V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRF10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF10150 C0G

частка акцыі: 161

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
HER1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1001G C0G

частка акцыі: 104

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MBRF10H150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10H150CT C0G

частка акцыі: 103

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 970mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1660 C0G

частка акцыі: 95

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRS2040 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2040 MNG

частка акцыі: 130

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR10100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10100 C0G

частка акцыі: 108

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SR1650PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1650PT C0G

частка акцыі: 84

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
SRF1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1620HC0G

частка акцыі: 137

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
FERD40U45CG-TR
STMicroelectronics

FERD40U45CG-TR

частка акцыі: 85070

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: FERD (Field Effect Rectifier Diode), Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 460mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-20CTQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ040HN3

частка акцыі: 49357

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 760mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-6CSH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CSH01-M3/87A

частка акцыі: 131934

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 940mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-15CTQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045S-M3

частка акцыі: 115974

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
VS-16CTQ100STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100STRL-M3

частка акцыі: 72146

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MD1890A-BM2MM
Littelfuse Inc.

MD1890A-BM2MM

частка акцыі: 1788

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 90A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 280A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
CDST-70-G
Comchip Technology

CDST-70-G

частка акцыі: 154742

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
CDST-21C-G
Comchip Technology

CDST-21C-G

частка акцыі: 154376

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
CDBD20150-G
Comchip Technology

CDBD20150-G

частка акцыі: 89806

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
RBQ20NS65AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ20NS65AFHTL

частка акцыі: 97

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 65V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 690mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
MD36C16D1-BP
Micro Commercial Co

MD36C16D1-BP

частка акцыі: 3117

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 36A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
HN1D03FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

частка акцыі: 159197

Канфігурацыя дыёда: 2 Pair CA + CC, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
DB3J314F0L
Panasonic Electronic Components

DB3J314F0L

частка акцыі: 187515

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні