Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

BAS7004SE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS7004SE6327HTSA1

частка акцыі: 3782

Канфігурацыя дыёда: 2 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 70mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS7005WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS7005WE6327HTSA1

частка акцыі: 3798

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 70mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS4007WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BAS4007WE6327BTSA1

частка акцыі: 3830

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS 40-07 B6327
Infineon Technologies

BAS 40-07 B6327

частка акцыі: 3839

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS4005WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BAS4005WE6327BTSA1

частка акцыі: 3769

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS28WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BAS28WE6327BTSA1

частка акцыі: 3826

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS16SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BAS16SE6327BTSA1

частка акцыі: 4410

Канфігурацыя дыёда: 3 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS12507WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS12507WE6327HTSA1

частка акцыі: 3835

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 25V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 35mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS 125-06W E6327
Infineon Technologies

BAS 125-06W E6327

частка акцыі: 3787

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 25V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 35mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS12504WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS12504WE6327HTSA1

частка акцыі: 3798

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 25V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 35mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAS12505WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS12505WE6327HTSA1

частка акцыі: 3798

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 25V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 35mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAT46SWFILM
STMicroelectronics

BAT46SWFILM

частка акцыі: 3770

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 10mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAT54-07P6FILM
STMicroelectronics

BAT54-07P6FILM

частка акцыі: 3832

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAT41SWFILM
STMicroelectronics

BAT41SWFILM

частка акцыі: 3816

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAT41AWFILM
STMicroelectronics

BAT41AWFILM

частка акцыі: 3848

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAT41-07P6FILM
STMicroelectronics

BAT41-07P6FILM

частка акцыі: 3827

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAT30AWFILM
STMicroelectronics

BAT30AWFILM

частка акцыі: 4452

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 300mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAT30-07P6FILM
STMicroelectronics

BAT30-07P6FILM

частка акцыі: 3763

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 300mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAT30-09P6FILM
STMicroelectronics

BAT30-09P6FILM

частка акцыі: 3854

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 300mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAS69-07P6FILM
STMicroelectronics

BAS69-07P6FILM

частка акцыі: 3847

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BYW51G-200-TR
STMicroelectronics

BYW51G-200-TR

частка акцыі: 3745

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYW51G-200
STMicroelectronics

BYW51G-200

частка акцыі: 3742

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYW51FP-200
STMicroelectronics

BYW51FP-200

частка акцыі: 3780

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYV54V-200
STMicroelectronics

BYV54V-200

частка акцыі: 4448

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYV52-200
STMicroelectronics

BYV52-200

частка акцыі: 3789

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT231PIV-400
STMicroelectronics

BYT231PIV-400

частка акцыі: 3806

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT231PIV-1000
STMicroelectronics

BYT231PIV-1000

частка акцыі: 3820

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT230PIV-400
STMicroelectronics

BYT230PIV-400

частка акцыі: 3790

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT230Y-400
STMicroelectronics

BYT230Y-400

частка акцыі: 3804

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT200PIV-400
STMicroelectronics

BYT200PIV-400

частка акцыі: 3805

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT16P-400
STMicroelectronics

BYT16P-400

частка акцыі: 3749

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAT46CWFILM
STMicroelectronics

BAT46CWFILM

частка акцыі: 3798

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 10mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BYV40E-150,115
WeEn Semiconductors

BYV40E-150,115

частка акцыі: 181286

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BYT28-300,127
WeEn Semiconductors

BYT28-300,127

частка акцыі: 163485

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
BAT54TC
Diodes Incorporated

BAT54TC

частка акцыі: 3789

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
BAT54STC
Diodes Incorporated

BAT54STC

частка акцыі: 3743

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні