Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ

15GN01MA-TL-E
ON Semiconductor

15GN01MA-TL-E

частка акцыі: 176347

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 8V, Частата - пераход: 1.5GHz, Магутнасць - Макс: 400mW,

Пажаданні
15GN01CA-TB-E
ON Semiconductor

15GN01CA-TB-E

частка акцыі: 194654

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 8V, Частата - пераход: 1.5GHz, Магутнасць - Макс: 200mW,

Пажаданні
2SC5536A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5536A-TL-H

частка акцыі: 129846

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 1.7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.8dB @ 150MHz, Прыбытак: 16dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5646A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5646A-TL-H

частка акцыі: 145975

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 4V, Частата - пераход: 10GHz ~ 12.5GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.5dB @ 2GHz, Прыбытак: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5490A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5490A-TL-H

частка акцыі: 102087

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Частата - пераход: 8GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Прыбытак: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5227A-4-TB-E
ON Semiconductor

2SC5227A-4-TB-E

частка акцыі: 149544

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 1GHz, Прыбытак: 12dB, Магутнасць - Макс: 200mW,

Пажаданні
2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor

2SC5347AE-TD-E

частка акцыі: 107074

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 4.7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.8dB @ 1GHz, Прыбытак: 8dB, Магутнасць - Макс: 1.3W,

Пажаданні
10A060
Microsemi Corporation

10A060

частка акцыі: 605

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 24V, Частата - пераход: 1GHz, Прыбытак: 8dB ~ 8.5dB, Магутнасць - Макс: 21W,

Пажаданні
2N4957UB
Microsemi Corporation

2N4957UB

частка акцыі: 2413

Тып транзістара: PNP, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 3.5dB @ 450MHz, Прыбытак: 25dB, Магутнасць - Макс: 200mW,

Пажаданні
2A8
Microsemi Corporation

2A8

частка акцыі: 697

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 21V, Частата - пераход: 2GHz, Прыбытак: 7dB ~ 9dB, Магутнасць - Макс: 5.3W,

Пажаданні
23A025
Microsemi Corporation

23A025

частка акцыі: 549

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 22V, Частата - пераход: 3.7GHz, Прыбытак: 6dB ~ 6.3dB, Магутнасць - Макс: 9W,

Пажаданні
2307
Microsemi Corporation

2307

частка акцыі: 648

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 42V, Частата - пераход: 2.3GHz, Прыбытак: 8dB, Магутнасць - Макс: 20.5W,

Пажаданні
2SC4098T106P
Rohm Semiconductor

2SC4098T106P

частка акцыі: 113796

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Частата - пераход: 300MHz, Магутнасць - Макс: 200mW,

Пажаданні
2SC4618TLN
Rohm Semiconductor

2SC4618TLN

частка акцыі: 145036

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Частата - пераход: 300MHz, Магутнасць - Макс: 150mW,

Пажаданні
2SC4713KT146S
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146S

частка акцыі: 183409

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 6V, Частата - пераход: 800MHz, Магутнасць - Макс: 200mW,

Пажаданні
2SC4713KT146R
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146R

частка акцыі: 149510

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 6V, Частата - пераход: 800MHz, Магутнасць - Макс: 200mW,

Пажаданні
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

частка акцыі: 144

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 13dB, Магутнасць - Макс: 150mW,

Пажаданні
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

частка акцыі: 170

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 11dB, Магутнасць - Макс: 150mW,

Пажаданні
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 171976

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Частата - пераход: 550MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Прыбытак: 17dB ~ 23dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

частка акцыі: 111075

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 128600

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 11dB ~ 16.5dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

частка акцыі: 121034

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

частка акцыі: 190

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

частка акцыі: 170

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

частка акцыі: 187

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Частата - пераход: 10GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.8dB @ 2GHz, Прыбытак: 13dB ~ 7dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

частка акцыі: 173074

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

частка акцыі: 128

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Частата - пераход: 10GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.8dB @ 2GHz, Прыбытак: 13dB ~ 7.5dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

частка акцыі: 124837

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Частата - пераход: 550MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Прыбытак: 17dB ~ 23dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Пажаданні
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

частка акцыі: 152602

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 11dB, Магутнасць - Макс: 150mW,

Пажаданні
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

частка акцыі: 162523

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Магутнасць - Макс: 150mW,

Пажаданні
2N5179
Central Semiconductor Corp

2N5179

частка акцыі: 11976

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 2GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 4.5dB @ 200MHz, Прыбытак: 15dB, Магутнасць - Макс: 200mW,

Пажаданні
2N918
Central Semiconductor Corp

2N918

частка акцыі: 11009

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Частата - пераход: 600MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 6dB @ 60kHz, Магутнасць - Макс: 200mW,

Пажаданні
2N4427
Central Semiconductor Corp

2N4427

частка акцыі: 25708

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Частата - пераход: 500MHz, Прыбытак: 10dB, Магутнасць - Макс: 1W,

Пажаданні
2N2857
Central Semiconductor Corp

2N2857

частка акцыі: 10939

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Частата - пераход: 1.9GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 4.5dB @ 450MHz, Магутнасць - Макс: 200mW,

Пажаданні
2SC3357-T1-A
CEL

2SC3357-T1-A

частка акцыі: 7357

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 6.5GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.8dB @ 1GHz, Прыбытак: 10dB, Магутнасць - Макс: 1.2W,

Пажаданні
2SC5010-T1-A
CEL

2SC5010-T1-A

частка акцыі: 7305

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 6V, Частата - пераход: 12GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.5dB @ 2GHz, Прыбытак: 8.5dB, Магутнасць - Макс: 125mW,

Пажаданні