Транзістары - FET, MOSFET - RF

LET9045STR

частка акцыі: 2065

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 1µA,

STAC250V2-500E

частка акцыі: 686

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 27MHz, Прыбытак: 21.5dB, Напружанне - тэст: 150V,

PD85015S-E

частка акцыі: 4854

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 870MHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 13.6V, Бягучы рэйтынг: 5A,

PD57018S-E

частка акцыі: 3021

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 945MHz, Прыбытак: 16.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 2.5A,

LET9060STR

частка акцыі: 1748

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 17.2dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 12A,

VRF157FL

частка акцыі: 277

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 80MHz, Прыбытак: 21dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 4mA,

VRF3933MP

частка акцыі: 414

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 30MHz, Прыбытак: 28dB, Напружанне - тэст: 100V, Бягучы рэйтынг: 20A,

VRF154FL

частка акцыі: 317

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 80MHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 4mA,

VRF151MP

частка акцыі: 832

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 175MHz, Прыбытак: 14dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 1mA,

VRF2933FL

частка акцыі: 824

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 30MHz, Прыбытак: 22dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 42A,

MMRF1007HSR5

частка акцыі: 236

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.03GHz, Прыбытак: 20dB, Напружанне - тэст: 50V,

MMRF1317HSR5

частка акцыі: 118

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.03GHz, Прыбытак: 18.2dB, Напружанне - тэст: 50V,

ON5264,127

частка акцыі: 6352

MRF8S9100HSR3

частка акцыі: 1407

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 920MHz, Прыбытак: 19.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF2007NR1

частка акцыі: 6392

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 940MHz, Прыбытак: 32.6dB, Напружанне - тэст: 28V,

MMRF1320GNR1

частка акцыі: 2818

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 26.1dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF6V12500HR5

частка акцыі: 211

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.03GHz, Прыбытак: 19.7dB, Напружанне - тэст: 50V,

ON5257,215

частка акцыі: 6401

MRFE6VS25LR5

частка акцыі: 1517

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 512MHz, Прыбытак: 25.9dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF6VP11KGSR5

частка акцыі: 493

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 130MHz, Прыбытак: 26dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF8S9260HSR3

частка акцыі: 694

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz, Прыбытак: 18.6dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF6V3090NR1

частка акцыі: 1550

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 860MHz, Прыбытак: 22dB, Напружанне - тэст: 50V,

MMRF1320NR1

частка акцыі: 2812

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 230MHz, Прыбытак: 26.1dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF1K50NR5

частка акцыі: 470

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.8MHz ~ 500MHz, Прыбытак: 23dB, Напружанне - тэст: 50V,

MRF1513NT1

частка акцыі: 15584

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 520MHz, Прыбытак: 15dB, Напружанне - тэст: 12.5V, Бягучы рэйтынг: 2A,

ON5214,118

частка акцыі: 6356

PTVA123501FC-V1-R0

частка акцыі: 164

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 50V,

PXAC210552ND-V1-R5

частка акцыі: 99

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.805GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 6.5dB, Бягучы рэйтынг: 1µA,

PTFB092707FH-V1-R250

частка акцыі: 94

PTFC262808FV-V1

частка акцыі: 136

PTFB090901EA-V2-R250

частка акцыі: 107

PTVA030121EA-V1-R0

частка акцыі: 333

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 390MHz ~ 450MHz, Прыбытак: 25dB, Напружанне - тэст: 50V,

PTFB182557SH-V1-R250

частка акцыі: 98

PXAC261212FC-V1-R250

частка акцыі: 152

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.69GHz, Прыбытак: 15dB, Напружанне - тэст: 28V,

MRF176GV

частка акцыі: 640

Тып транзістара: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Частата: 225MHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 16A,

PTRA093302DC V1

частка акцыі: 6377